内容正文:
共发射极输入特性曲线-实际输入特性
共发射极输入特性曲线-实际输入特性
产生区别的原因在于基区调宽效应
第一节:双极型晶体管
关于发射结的反向击穿
共发射极输出特性曲线-定义
以输入电压 或电流 为参变量,集电极电流 (输出电流)随 (输出电压)的变化曲线为共发射极输出特性曲线
以输入电压为参变量时:
以输入电流为参变量时:
第一节:双极型晶体管
共发射极输出特性曲线-以输入电流为参变量
饱和状态时:
第一节:双极型晶体管
截止状态时:
放大状态时:
共发射极输出特性曲线-实际输出特性曲线
考虑到基区宽度调制效应和集电结反向击穿效应
输出特性斜率的倒数为晶体管的输出电阻:
集电结击穿电压
第一节:双极型晶体管
特性曲线的其它问题
第一节:双极型晶体管
关于 和 的关系
关于晶体管的反向应用
温度对晶体管特性的影响
与二极管的伏安特性曲线类似,如果保持输入电流不变,当温度升高时,晶体管的输入特性曲线左移。
与二极管伏安特性曲线类似,温度升高时,反向饱和电流和反向穿透电流亦升高。
温度升高时, 值增大
第一节:双极型晶体管
晶体管的参数-电流放大系数
共发射极直流电流放大系数
共基极直流电流放大系数
共发射极交流(短路)电流放大系数
手册中常用 表示
随工作点电流 而变化的规律与 相仿
共基极交流电流放大系数
第一节:双极型晶体管
例题
一个三极管的输出特性曲线见下图,试在图上求出 处的各电流放大系数,并进行比较。
第一节:双极型晶体管
晶体管的参数-极间反向电流
第一节:双极型晶体管
反向饱和电流
发射极开路时集电结的反向饱和电流
反向饱和电流
集电极开路时发射结的反向饱和电流
穿透电流
基极开路时集电极和发射极之间的穿透电流
晶体管的参数-极限参数
集电极最大允许电流 ,为 下降至最高值的2/3时所对应的集电极电流
反向击穿电压 、 、
集电极最大允许耗散功率
晶体管的安全工作范围由以上三者共同决定
第一节:双极型晶体管
晶体管的参数-高频参数
第一节:双极型晶体管
截止频率 和 截止频率
使 和 下降为 和 时的频率 和 称为晶体管的共基截止频率和共射截止频率
特征频率
发射区
基区
集电区
放大区
截止区
饱
和
区
放大区
截止区
饱
和
区
放大区
截止区
饱
和
区
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