内容正文:
22 五月 2023
模拟电子技术
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集成运放电路举例
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集成运算放大器的主要参数
一、输入失调电压UIO和输入失调电流IIO
二、失调的温漂
三、输入偏置电流IIB
四、开环差模电压放大倍数Aud
五、共模抑制比KCMR
当外接RS足够大,使IIO RS>> UIO时,失调电流
IIO = IB1- IB2
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六、差模输入电阻Rid
七、共模输入电阻Ric
八、输出电阻Ro
九、输入电压范围
十、带宽
十一、转换速率(压摆率)SR
十二、静态功耗Pc
十三、电源电压抑制比PSRR
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作 业
4-1 (1)
4-2
4-4
4-5
4-7
4-6
4-12
4-14
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R
1
R
2
I
C
R
3
-U
EE
R
B
R
3
r
be
βI
b
rce
+
-
U
o
I
b
I
o
图4―2单管电流源电路
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图4―8 威尔逊电流源
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(1)
(2)
(3)
Rr
R
3
r
be
βIb3
rce
+
-
U
o
I
o
r
be
βI b2
I b2
r
be
βI b1
I b1
I b3
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(4)
(5)
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以平面工艺为基础的半导体集成电路的制造工艺
1.由外延、氧化、光刻、扩散和薄膜淀积(或叫蒸铝)五种基本技术组成平面工艺。
2.采用PN结隔离技术和介质隔离技术。
3.NPN型晶体三极管是最基本的器件;PNP型晶体三极管有纵向和横向两种结构,由于发射区不是高掺杂的,因而,它们的β值极低,约在2~20之间。横向PNP型管的β值更低,典型值为3~5。
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4.电阻通常有扩散电阻和金属膜电阻两类。
扩散电阻就是杂质半导体的体电阻,由标准N+扩散流程形成的N+区电阻的阻值一般为20~100Ω,由标准P扩散流程形成的P区电阻的阻值一般为100~20KΩ,阻值的误差较大,约为±20%。
利用标准的薄膜沉积流程在二氧化硅表面层上淀积一层金属膜作为电阻。
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