内容正文:
场效应管及其基本电路
20 五月 2023
模拟电子技术
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场效应管及其基本电路
结型场效应管
结型场效应管的结构及工作原理
结型场效应管的特性曲线
一、转移特性曲线
二、输出特性曲线
1. 可变电阻区
2.恒流区
3. 截止区
4.击穿区
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3―2 绝缘栅场效应管(IGFET)
3―2―1 绝缘栅场效应管的结构
3―2―2 N沟道增强型MOSFET
一、导电沟道的形成及工作原理
二、转移特性
三、输出特性
(1)截止区
(2)恒流区
(3)可变电阻区
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3―2―3 N沟道耗尽型 MOSFET
3―2―4各种类型MOS管的符号及特性对比
3―3 场效应管的参数和小信号模型
3―3―1场效应管的主要参数
一、直流参数
二、极限参数
三、交流参数
3―3―2 场效应管的低频小信号模型
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3―4 场效应管放大器
3―4―1 场效应管偏置电路
一、图解法
二、解析法
3―4―2 场效应管放大器分析
一、共源放大器
二、共漏放大器
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第三章 场效应管及其基本电路
(1)了解场效应管内部工作原理及性能特点。
(2)掌握场效应管的外部特性、主要参数。
(3)了解场效应管基本放大电路的组成、工作原理及性能特点。
(4)掌握放大电路静态工作点和动态参数(
)的分析方法。
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场效应晶体管(场效应管)利用多数载流子的漂移运动形成电流。
场效应管FET
(Field Effect Transistor)
结型场效应管JFET
(Junction FET)
绝缘栅场效应管IGFET
(Insulated Gate FET)
双极型晶体管主要是利用基区非平衡少数载流子的扩散运动形成电流。
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3―1 结型场效应管
3―1―1 结型场效应管的结构及工作原理
N
型
沟
道
P
P
D
G
S
D
S
G
(a)N沟道JFET
图3―1结型场效应管的结构示意图及其表示符号
Gate栅极
Source源极
Drain 漏极
箭头方向表示栅源间PN结若加正向偏置电压时栅极电流的实际流动方向
ID
实际流向
结型场效应三极管的结构.avi
一、结型场效应管的结构
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P
型
沟
道
N
N
D
G
S
D
S
G
(b)P沟道JFET
图3―1结型场效应管的结构示意图及其表示符号
ID
实际流向
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N
D
G
S
P
P
(a) UGS =0,沟道最宽
图3―2栅源电压UGS对沟道的控制作用示意图
二、结型场效应管的工作原理
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(b) UGS负压增大,沟道变窄
D
S
P
P
U
GS
图3―2栅源电压UGS对沟道的控制作用示意图
横向电场作用:
︱UGS︱↑
↑
→沟道宽度
→ PN结耗尽层宽度
↓
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(c) UGS负压进一步增大,沟道夹断
图3―2栅源电压UGS对沟道的控制作用示意图
D
S
P
P
U
GS
UGSoff——夹断电压
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