2022-2023学年高二物理竞赛课件：N沟道耗尽型 MOSFET (Depletion NMOSFET)

N沟道耗尽型 MOSFET (Depletion NMOSFET) 20 五月 2023 模拟电子技术 2 N沟道耗尽型 MOSFET (Depletion NMOSFET) ID0表示uGS=0时所对应的漏极电流。 20 五月 2023 模拟电子技术 3 图3―6 N沟道增强型MOS场效应管的沟道形成及符号 B N ＋ 导电沟道（反型层） P 型衬底 U GS N ＋ D G S ( c )符号 B 衬底的箭头方向表示PN结若加正向电压时的电流方向 (b) UGS>UGSth，导电沟道已形成 栅源电压VGS对沟道的影响.avi 20 五月 2023 模拟电子技术 4 图 uDS增大，沟道预夹断前情况 B U DS P 型衬底 U GS N + N + 20 五月 2023 模拟电子技术 5 图3―9 uDS增大，沟道预夹断时情况 B U DS P 型衬底 U GS N + N + 预夹断 20 五月 2023 模拟电子技术 6 图 uDS增大，沟道预夹断后情况 B U DS P 型衬底 U GS N + N + 漏源电压VDS对沟道的影响.avi 20 五月 2023 模拟电子技术 7 二、输出特性 (1)截止区 uDS≥0 uGS<UGSth 导电沟道未形成，iD=0。 (2)可变电阻区 预夹断前所对应的区域。 uGS>UGSth uGD>UGSth（或uDS<uGS-UGSth） 20 五月 2023 模拟电子技术 8 (3)恒流区 ·曲线间隔均匀，uGS对iD控制能力强。 ·uDS对iD的控制能力弱，曲线平坦。 预夹断后所对应的区域。 uGS>UGSth uGD<UGSth（或uDS>uGS-UGSth） 20 五月 2023 模拟电子技术 9 三、转移特性 (1)当uGS<UGSth时，iD=0。 (2)当uGS>UGSth时，iD >0，二者符合平方律关系。 iD≥0 20 五月 2023 模拟电子技术 10 图 N沟道耗尽型MOS场效应管的沟道形成 B N ＋ 导电沟道（反型层） P 型衬底 N ＋ UGS=0，导电沟道已形成 20 五月 2023 模拟电子技术 11 图3―10N沟道耗尽型MOS管的特性及符号(a)转移特性；(b)输出特性；(c)表示符号 20 五月 2023 模拟电子技术 12 图3―10N沟道耗尽型MOS管的特性及符号 (a)转移特性；(b)输出特性；(c)表示符号 ( c ) D G S B $