2022-2023学年高二物理竞赛课件：各种类型MOS管的符号及特性对比

各种类型MOS管的符号及特性对比 20 五月 2023 模拟电子技术 2 各种类型MOS管的符号及特性对比 D G S D G S N 沟道 P 沟道 JFET 图3―11各种场效应管的符号对比 20 五月 2023 模拟电子技术 3 图3―11各种场效应管的符号对比 20 五月 2023 模拟电子技术 4 JFET：利用栅源电压（ 输入电压）对耗尽层厚度的控制来改变导电沟道的宽度，从而实现对漏极电流（输出电流）的控制。 MOSFET：利用栅源电压（ 输入电压）对半导体表面感生电荷量的控制来改变导电沟道的宽度，从而实现对漏极电流（输出电流）的控制。 FET 输入电压 输出电流 G S S D uGS iD 20 五月 2023 模拟电子技术 5 i D u G S U G S off 0 I DSS I D0 U G S th 结型 P 沟 耗尽型 P 沟 增强型 P 沟 MOS 耗尽型 N 沟 增强型 N 沟 MOS 结型 N 沟 图3―12各种场效应管的转移特性和输出特性对比 (a)转移特性 N沟道： P沟道： 20 五月 2023 模拟电子技术 6 图3―12各种场效应管的转移特性和输出特性对比 u D S i D 0 线性可变电阻区 0 1 2 3 4 5 6 0 1 2 3 －1 －2 －3 －3 －4 －5 －6 －7 －8 －9 结型 P 沟 耗尽型 MOS P沟 －3 －4 －5 －6 0 －1 －2 0 1 2 3 －1 －2 －3 3 4 5 6 7 8 9 结型 N 沟 耗尽型 增强型 MOS N沟 U GS / V U GS / V 增强型 (b)输出特性 N沟道： P沟道： 20 五月 2023 模拟电子技术 7 放大 饱和/可变电阻 截止 NPN-BJT PNP-BJT P-FET N-FET BJT与FET工作状态的对比 20 五月 2023 模拟电子技术 8 场效应管工作状态的判断方法 1.先判断是否处于截止状态 2.再判断是否处于放大状态 或 或 指导思想：假设处于某一状态，然后用计算结果验证假设是否成立。 20 五月 2023 模拟电子技术 9 3―3 场效应管的参数和小信号模型 3―3―1 场效应管的主要参数 一、直流参数 1. 结型场效应管和耗尽型MOSFET的主要参数 (1)饱和漏极电流IDSS(ID0)： (2)夹断电压UGSoff：当栅源电压uGS=UGSoff时，iD=0。 对应uGS=0时的漏极电流。 2.增强型MOSFET的主要参数 对增强型MOSFET来说，主要参数有开启电压UGSth。 20 五月 2023 模拟电子技术 10 3.输入电阻RGS 对结型场效应管，RGS在108~1012Ω之间。 对MOS管，RGS在1010~1015Ω之间。 通常认为RGS →∞。 二、极限参数 (1)栅源击穿电压U(BR)GSO。 (2)漏源击穿电压U(BR)DSO。 (3)最大功耗PDM：PDM=ID·UDS 20 五月 2023 模拟电子技术 11 三、交流参数 1跨导gm 对JFET和耗尽型MOS管 那么 20 五月 2023 模拟电子技术 12 而对增强型MOSFET 那么，对应工作点Q的gm为 � Text� D� S� G� B� D� S� G� B� D� S� G� B� D� S� G� B� N����� P����� � ������� N����� P����� � ������� � MOSFET� $