2022-2023学年高二物理竞赛课件：耗尽型绝缘栅场效应管的特点（N沟道）

耗尽型绝缘栅场效应管的特点（N沟道） 耗尽型绝缘栅场效应管的特点（N沟道） 1. 结构符号 g d s 衬底 (b) + + + + + + s g d 衬底引线 N+ N+ N型沟道 P (a) 图4－11 在绝缘层sio2里掺杂大量正离子 26. 2. 工作原理 vGS 沟道 iD 0 存在 有vDS就有iD >0 变宽  <0 变窄  27. vGS(V) VP iD O (a) IDSS 3. 特性曲线 vDS(V) iD O –0.4 vGS＝0(V) –0.2 0.2 (b) 图4－12 28. 4. 耗尽型MOSFET和JFET比较 相同点： vGS = 0 时，有沟道  管子工作在饱和区有 不同点：耗： vGS可正可负 结型： vGS  0 29. 可求得VGS、ID 依 vDS =VDD – iD(Rd +R) 可求得VDS Cb1 C + – R g d s T 3DJ2 Rg +VDD Cb2 0.01F 0.01F +15V 2k 10M 10F 图4－13 + – 13k 31.  分压式自偏压电路 vDS =VDD – iD(Rd +R) （Rg3中无电流） 求得VGS、ID、 VDS。 Cb1 C + – R g d s T 3DJ2 Rg2 +VDD Cb2 0.01F 0.01F +18V 2k 47k 10F 图4－14 + – Rg3 10M Rg1 2M Rd 30k 32. 二、场效应管放大电路的小信号模型分析法 1. 场效应管的小信号模型 条件： 信号是微变量  管子工作在线性区 无栅流。所以输入g、s间相当于一个很大的电阻 用rgs表示 输出 iD = f (vDS , vGS ) (依输出特性得来) 33. 用相量表示 g s d rgs rd + – – + — 34. g d – + Rg + – s Rs — R 44. 例4－3 源极输出器电路如图所示。已知场效应管工作点上的互导gm=0.9mS，其它参数如图中所示。求放大倍数 、输入电阻Ri和输出电阻Ro。 Cb1 + – R Rg2 +VDD Cb2 + – 300k Rg3 Rg1 100k 12k 2M 15 0.02 +12V 45. 解： 46. $