2022-2023学年高二物理竞赛课件：场效应管放大电路分析

场效应管放大电路分析 场效应管放大电路分析 共源电路 图 4－17 Cb1 C + – R g d s T 3DJ2 Rg2 +VCC Cb2 + – Rg3 Rg1 Rd (a) g s d Rd + – – + Rg2 Rg1 Rg3 (b) — 37. 图4－15 vGS vDS d s g + – + – iD (a) g s d rgs rd + – – + (b) — 35. 要求不高的场合可用简化模型  rgs可不画；  rd >> Rd ，忽略rd的影响。 g s d + – – + 图4－16 — 36.  微变等效电路如(b)图  Ri = Rg3 + Rg1 // Rg2 Ro = Rd 38. 例4－1 求下图的 C1 + – R Rg +VDD C2 + – Rd RL 39. 解：(1) 画简化小信号模型 g d Rd + – – + Rg + – RL R s — 40. (2) Ri = Rg Ro = Rd 41. 例4－2 求共漏极电路的 +VDD C1 + – R Rg C2 + – RL 42. (1) 画小信号模型 Ri = Rg g d + – – + Rg + – RL R s — 43. 3. 特性曲线 图4－10  从转移特性可看出，只有vGS>VT ，沟道形成，加vDS，才有iD。  输出特性也分三个区。 0 4 8 12 16 20 1 2 3 4 II III I vDS(V) iD(mA) 5V 4 vGS=3V (a) vDS=10V 0 2 4 6 1 2 3 4 vGS(V) iD(mA) (b) 24. 归纳： vGS>VT ，在半导体表面形成感生沟道，并控制它。 vGS 沟道 iD vGS 沟道 iD  这就是vGS对iD的控制 25. $