2022-2023学年高二物理竞赛课件：场效应管电路（以N沟耗尽型MOSFET为例）

场效应管电路（以N沟耗尽型MOSFET为例） 场效应管电路（以N沟耗尽型MOSFET为例） 一、场 效应管的直流偏置电路及静态分析 1. 估算法求Q点  自偏压电路 Cb1 C + – R g d s T 3DJ2 Rg +VDD Cb2 0.01F 0.01F +15V 2k 10M 10F 图4－13 + – 13k a. 栅极不取电流，Rg上无压降。 b. 耗尽型管vGS = 0, 也有iD， iD·R使vGS为负值。 30. 例 一场效应管和双极型晶体管直接耦合的放大电路如图，已知T1的gm=1mS， T2的=50， rbe=1k。信号源电压 =10mV，求输出电压 ，输入电阻Ri和输出电阻Ro。 +VDD Cb1 + – R Rg Cb2 + – 5M 1k Rc 5k T1 T2 20k Rd Rs 1k 47. 解： Ri = 5M Ro = Rc = 5k END 2.低频响应及下限频率 + C1 + – RL Cb2 rbe Rc – RS 令 100 低频响应具有两个转折频率fL1fL2若二者之比在4倍以上,取大值作为下限频率. 102 Cb1 +VCC – + Cb2 Ce RL Re Rb1 Rb2 Rc + － RS 50 30F 110k 33k 1.8k 50F 1F 4K 2.7K 例:电路如右图,BJT的=80,rbe=2k,求下限频率fL. 103 例2－3 一限幅电路如下图，R=1K， VREF= 3V. 设vi = 6sintV。试绘出相应的输出电压v0的波形。(用折线模型分析) 解：折线模型为 vi v0 Vth + _ + _ D rD 0.2K R iD VREF 0.5V vi v0 VREF + _ + _ R D . 37 vI1 R=4.7 k D2 D1 vI2 Vcc+5V 输入 输出 0 0 0 0 5 0 5 0 0 5 5 5 vO vI1 vI2 vO 3. 开关电路 例2.4.3 当 和 为0 V 或5V 时,求 和 的值不同组合情况下,输出电压 的值. vI1 vI2 vI1 vO vI2 39 2. 伏安特性曲线: ( I—V Characteristics ) 正向特性和普通二极管同 反向击穿区曲线越陡，即动态电阻 rZ 越小，稳压性能越好。 图2－15 V(V) I(mA) O 41 3. 符号 ( symbol ) 用2CW，2DW命名 + － + _ a k 42 + _ + _ VI VO IR IZ IO( IL) R RL DZ RL IO VO IR IZ IR VO 43 $