2022-2023学年高二物理竞赛课件：放大电路的工作点稳定问题

放大电路的工作点稳定问题 放大电路的工作点稳定问题 一、温度对工作点的影响 三个因素: 1. ICBO: T ，电子空穴对， ICBO ， ICEO 2. VBE: T ，载流子运动加快，PN结的阻档减弱，正向结电阻 VBE. VBE具有负温系数–2.2mV/C 27. T为3DG6，已知工作点处的 = 40 (1) 求 (2) 若Rs= 500, 求源电压放大倍数 + +12V 4k RL  Rc 4k Rb 300k +VCC + – Rs + – 24. 解：(1) 求rbe: 题目未告知rbb‘，小功率管约取200 25. (2) 求Ri: Ri=rbe=0.866k 由于信号源内阻Rs的存在，输入信号在Rs上损失了一部分，使 ， 从而使放大倍数下降。 26. 总之，由于三个因素的影响，T, IC , Q点上移，硅管受VBE， 影响大，锗管受ICB0影响大。 解决办法： 保持温度不变；  采取技术措施，减小温度影响，以稳定Q点。 3. : T ，注入到基区载流子运动加快，复合少，扩散多，   结温每升高1℃， 增加0.5% ~ 1% 28. RL Cb2 Cb1 Rc Rb1 +VCC IB+ IC I1 IC IB b c e vi vo + – + – 图3－26 二、射极偏置电路 稳定Q点的过程 T IC IE IERe VE (选择参数使I1 >>IB, VB一定，) VBE IB IC. Rb2 Re 29. 电路中电量取值： 硅： VB=(3~5)V 锗： VB= (1~3)V 硅： I1=(5~10) IB 锗： I1=(10~20) IB 30. 例3－4 已知，估算射极偏置电路的Q点,并计算 解：(1) 求Q点 Av,Ri,Ro 31. (2) 画小信号模型 图3－27 + – RL rbe + – Rb2 b e c Rc Rb Rb1 Re — 32. (3) 求Av Av= Vo Vi Vo= -IbRL 33. ´ (4) 求Ri, R0 + – RL rbe + – Ri Rb2 b e c Rc Rb Rb1 Re 图3－27 — 34. $