内容正文:
简化电路
简化电路
取VBB = VCC。见图3-14(a)
省略电源VCC的符号,只标出VCC的非接地端的电压数值及极性。见图3-14(b)
+
Cb1
Cb2
300k
VCC
Rc
Rb
4k
12V
+
IB
vi
v0
(a)
Cb1
Rb
300k
Rc
4k
Cb2
+VCC
IB
IC
e
c
+12V
(b)
v0
vi
图3-14
34.
若满足条件: ICEO很小时,可忽略;
管子工作在线性区。
共基:
24.
2. 集电极-基极反向饱和电流 ICBO
发射极开路,c、b间加上一定反向电压时的反向电流,(由少数载流子引起)
硅管:<1A
小功率锗管:约为10A。
图3-12
VCC
e
A
+
–
c
b
ICBO
25.
3. 集电极-发射极反向饱和电流ICE0(穿透电流)
基极开路,c、e间加一定反向电压时的集电极电流
图3-13
VCC
e
c
b
ICEO
A
26.
4. 极限参数
a. 集电极最大允许电流 ICM。
三极管的参数变化不超过允许值时集电极允许的最大电流。
当电流超过ICM,管子性能下降,甚至烧坏。
27.
b. 集电极最大允许功率 PCM。
集电结上允许损耗功率的最大值。
超过此值会使管子性能变坏或烧毁。
c. 反向击穿电压 VBR。
28.
例3-1 在晶体管放大电路中,测得三个晶体管的各个电极的电位如图。试判断各晶体管的类型
(是NPN管还是PNP管,是硅管还锗管),并区分e、b、c三个电极。
2V
2.7V
6V
2.2V
5.3V
6V
4V
1.2V
1.4V
(a)
(b)
(c)
29.
(a) NPN硅, -e,-b,-c
(b) PNP硅管, -c,-b,-e
(c) PNP锗管, -c,-e,-b
解:(1)依|VBE|=0.7V(或|VBE|= 0.2V)确定硅还是锗。
(2)找出c极:极间电压不是0.7V或0.2V的为c极。
(3)VB、VE、VC三个电位中,VC最低,是PNP管; VC最高,是NPN管。
(4)PNP管: VC <VB<VE;NPN管: VC>VB>VE。以确定b, e极。
30.
§3.2 共射极放大电路
放大要求:幅度放大,波形不失真
放大实质:实现能量转换与控制
放大对象:交流量(即变化量)
31.
一、电路
+
+
Cb1
Cb2
Vi
300k
12V
4k
12V
VBB
VCC
RC
RB
V0
图3-14
VCC, VBB :直流电源
RC, RB :分别为集电极负载电阻、基极偏置电阻
32.
3.3 图解分析法
一、静态工作情况分析
静态:当放大电路vi=0时,电路中各处的电压、电流都为直流,称为直流工作状态或静止状态,简称静态。
35.
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