内容正文:
场效应管放大电路
场效应管放大电路
直流偏置电路
静态工作点
FET小信号模型
动态指标分析
三种基本放大电路的性能比较
直流偏置及静态分析
放大电路的小信号模型分析法
直流偏置电路及静态分析
对直流偏置电路的要求
VP
# JFET有正常放大作用时,沟道处于什么状态?
直流偏置电路及静态分析
1. 直流偏置电路
分压式自偏压电路
自偏压电路
vGS
vGS =
0 - iDR
场效应管常用的偏置方式
自给偏压
分压式偏置
静态分析
a. 方法一:图解法
(a) 列写输出回路方程
(c) 作图
(b) 列写输入回路方程
+
_
+
_
a
b
c
d
e
a
b
c
d
e
IDQ
M
N
Qo
UDSQ
Qi
UGSQ
作输出回路直流负载线
作控制特性
作输入回路直流负载线
O
O
b. 方法二:估算法
输入回路方程
当管子工作于放大区时
两式联立可求得IDQ
由此可得
+
_
+
_
共源组态接法基本放大电路
直流通道
VG=VDDRg2/(Rg1+Rg2)
VGSQ= VG-VS= VG-IDQR
IDQ= IDSS[1-(VGSQ /VP)]2
VDSQ= VDD-IDQ(Rd+R)
于是可以解出VGSQ、IDQ和VDSQ。
分压偏置放大电路的静态工作点
分压式偏置: 增强型、耗尽型
两种偏置电路适用的FET
自给偏压:耗尽型
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第二级
第三级
第四级
第五级
5.3.2 放大电路的小信号模型分析法
对于采用场效应三极管的共源基本放大电路,可以与共射组态接法的基本放大电路相对应,只不过场效应三极管是电压控制电流源,即VCCS。共源组态的基本放大电路如图所示。
(a)采用结型场效应管
(b)采用绝缘栅场效应管
共源组态接法基本放大电路
比较共源和共射放大电路,它们只是在偏置电路和受控源的类型上有所不同。只要将微变等效电路画出,就是一个解电路的问题了。
9
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小信号模型
低频模型
1. 小信号模型
(1)低频模型
其中:rgs是输入电阻,理论值为无穷大。
gmvgs是压控电流源,它体现了输入电压对输出电流的
控制作用。称为低频跨导。
rd为输出电阻,类似于双极型晶体管的rce。
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第二级
第三级
第四级
第五级
(2)高频模型
Q
Q`
Q``
IBQ
VBEQ
vBE/V
t
iB/uA
t
vBE/V
iB/uA
20
40
60
iC/mA
vCE/V
iC/mA
vCE/V
VCEQ
ICQ
Q``
Q`
Q
t
t
60uA
40uA
20uA
iC/mA
vCE/V
iC/mA
vCE/V
VCEQ
ICQ
Q``
Q`
Q
t
t
60uA
40uA
20uA
iC/mA
vCE/V
iC/mA
vCE/V
VCEQ
ICQ
Q``
Q`
Q
t
t
60uA
40uA
20uA
Q
IBQ
VBEQ
vBE/V
t
iB/uA
t
vBE/V
iB/uA
iC/mA
vCE/V
iC/mA
vCE/V
VCEQ
ICQ
Q
t
t
Q
Q`
Q``
IBQ
VBEQ
vBE/V
t
iB/uA
t
vBE/V
iB/uA
$