2022-2023学年高二物理竞赛课件：MOSFET的主要参数

MOSFET的主要参数 MOSFET的主要参数 end 极限参数 1. 最大漏极电流IDM 2. 最大耗散功率PDM 3. 最大漏源电压V（BR）DS 4. 最大栅源电压V（BR）GS 5.2 JFET的结构和工作原理 1. 结构 N型导电沟道 漏极D(d) 源极S(s) 沟道电阻 —— 长度、宽度、掺杂 P+ P+ 反偏的PN结 —— 反偏电压控制耗尽层 结构特点: 空间电荷区（耗尽层） 栅极G(g) (动画) 5.2.1 JFET的结构和工作原理 2. 工作原理 ① VGS对沟道的控制作用 ② VDS对沟道的影响  VGS=0  VGS＜0 (反偏)  VGS= VP 耗尽层加厚 |VGS | 增加 沟道变窄 沟道电阻增大 全夹断（夹断电压） 5.2.1 JFET的结构和工作原理 2. 工作原理 ② VDS对沟道的影响  VDS  ID  GD间PN结的反向电压增加,使靠近 漏极处的耗尽层加宽,呈楔形分布。  VGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。  VDS  夹断区延长,但ID基本不变 2. 工作原理 ③ VGS和VDS同时作用时 (动画) 5.2.2 JFET的特性曲线及参数 2. 转移特性 1. 输出特性 与MOSFET类似 3. 主要参数 5.2.2 JFET的特性曲线及参数 各类场效应三极管的特性曲线 绝缘栅场效应管 N 沟 道 增 强 型 P 沟 道 增 强 型 绝缘栅场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 结型场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 双极型和场效应型三极管的比较 双极型三极管 场效应三极管 结构 NPN型 结型耗尽型 N沟道 P沟道 PNP型 绝缘栅增强型 N沟道 P沟道 绝缘栅耗尽型 N沟道 P沟道 载流子 多子扩散少子漂移 多子漂移 输入量 电流输入 电压输入 控制 电流控制 电压控制 电流源CCCS(β) 电压控制电流源VCCS(gm) 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大 较小，可有零温度系数点 输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和超大规模集成 12 g d s P+ N P+ 耗尽层 g d s P+ N P+ g d s P+ N P+ g d s P+ N P+ 耗尽层 g d s P+ N P+ g d s P+ N P+ g d s P+ N P+ $