2022-2023学年高二物理竞赛课件：变容二极管

变容二极管 2 利用反偏时势垒电容工作于电路的二极管→变容二极管，简称变容管。下图分别为变容管电路符号。和变容管压控特性曲线。 变容二极管 符号 20 2 40 60 80 100 0 4 6 8 10 12 uD C C－U 特性曲线 3 肖特基二极管的弱点 反向耐压提高时正向压降会提高，多用于200V以下。 反向稳态损耗不能忽略，必须严格地限制其工作温度。 肖特基二极管的优点 反向恢复时间很短（10~40ns）。 正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲。 反向耐压较低时其正向压降明显低于快恢复二极管。 效率高，其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还小。 肖特基二极管 以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode ——SBD）。 iC(mA ) 2 4 6 8 uCE(V) 2 6 8 10 4 iB=0 20A 40A 60A 80A 100A 饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V (硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， vBE小于死区电压。 (1) 共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB  vCE=const 1. 电流放大系数 BJT的主要参数 (2) 共发射极交流电流放大系数  =IC/IBvCE=const 1. 电流放大系数 (3) 共基极直流电流放大系数 =（IC－ICBO）/IE≈IC/IE (4) 共基极交流电流放大系数α α=IC/IEvCB=const 当ICBO和ICEO很小时， ≈、 ≈，可以不加区分。 BJT的主要参数 2. 极间反向电流 (1) 集电极基极间反向饱和电流ICBO 发射极开路时，集电结的反向饱和电流。 BJT的主要参数 (2) 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO=（1+ ）ICBO 4.1.4 BJT的主要参数 2. 极间反向电流 (1) 集电极最大允许电流ICM (2) 集电极最大允许功率损耗PCM PCM= ICVCE 3. 极限参数 4.1.4 BJT的主要参数 3. 极限参数 4.1.4 BJT的主要参数 (3) 反向击穿电压  V(BR)CBO——发射极开路时的集电结反 向击穿电压。  V(BR) EBO——集电极开路时发射结的反 向击穿电压。  V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射 极间的击穿电压。 几个击穿电压有如下关系 V(BR)CBO＞V(BR)CEO＞V(BR) EBO 晶体管参数与温度的关系 1、硅管温度每增加8C（锗管每12 C )， ICBO增大一倍。 2、温度每升高 1C，UBE将减小约 2 mV， 即晶体管具有负温度系数。 3、温度每升高 1C， 增加 0.5%~1.0%。 半导体三极管的型号 国家标准对半导体三极管的命名如下: 3 D G 110 B 第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管 材料 器件的种类 同种器件型号的序号 同一型号中的不同规格 三极管 $