中职高教版《电子产品装配与调试》1.4半导体器件的识别与检测课件

1.4任务4 半导体器件的识别与检测 1.4.1半导体器件的命名方法 国产半导体器件型号由5个部分组成，前3个部分的符号意义见表1-8所示。第4部分是数字表示器件的序号，第5部分是用汉语拼音字母表示规格号。 例如 2AP9表示N型锗材料普通锗二极管，9为序号。2CW5表示N型硅材料的稳压二极管，5为序号。 1.4.2半导体二极管的识别与检测 1.半导体二极管的分类 二极管按材料可分为硅二极管、锗二极管、砷化镓二极管等；按结构不同可分为点接触型二极管和面接触型二极管；按用途可分为整流管二极管、稳压管二极管、检波管二极管和开关二极管等。 2.主要技术参数 1）最大正向电流IF：是指二极管长期工作时，允许通过的最大正向平均电流。使用时通过二极管的平均电流不能大于这个值，否则将导致二极管损坏。 2）最大反向工作电压URM ：是指正常工作时，二极管所能承受的反向电压的最大值。 3）最高工作率 fM：是指晶体二极管能保持良好工作性能条件下的最高工作频率 4）反向饱和电流IS：是指二极管未击穿时流过二极管的最大反向电流。 3.常用二极管及其选用 1）整流二极管 整流二极管主要用于整流电路，即把交流电变换成脉动的直流电。整流二极管为面接触型，其结电容较大，因此工作频率范围较窄（3kHz以内）。 2）检波二极管 检波二极管其主要作用是把高频信号中的低频信号检出，其结构为点接触型，其结电容小，一般为锗管。 3）稳压二极管 稳压二极管也叫稳压管，它是用特殊工艺制造的面结型硅半导体二极管，其特点是工作在反向击穿区实现稳压； 4）变容二极管 变容二极管是利用PN结的电容随外加反向电压而变化的特性制成的，变容二极管工作在反向偏置区，结电容的大小与偏压大小有关。 5）发光二极管 发光二极管简称LED，具有一个单向导电的PN结，当通过正向电流时，该二极管就发光，将电能转换为光能。 4. 半导体二极管的选用 二极管的选用时，应根据用途和电路的具体要求选择二极管的种类、型号及参数。 选用检波二极管时，主要使工作频率符合电路频率的要求，结电容小的检波效果好，常用的检波二极管有2AP系列。还可以用开关二极管2AK型的代用。 整流二极管主要考虑其最大整流电流、最高反向工作电压是否能满足电路需要，常用的整流二极管有2CP、2CZ系列。 5. 半导体二极管的检测 （1）二极管的极性判断 1）根据标记判断 普通二极管正、负极性一般都标注在其外壳上。标记方法有箭头、色点、色环三种，一般印有色点、色环的一端为负极；箭头所指方向或靠近色环的一端为二极管的负极，另一端为正极。 2）根据正反向电阻识别 将指针万用表选在R×100或R×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极。若测出的电阻值较小（硅管为几百～几千Ω，锗管为100Ω～1kΩ），说明是正向导通，此时黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的则是负极；若测出的电阻值较大（几十kΩ～几百kΩ），为反向截止，此时红表笔接的是二极管的正极，黑表笔为负极。 （2）普通二极管检测 根据二极管的单向导电性，其反向电阻远远大于正向电阻。利用万用表欧姆档，测试其正、反向电阻，即可对二极管的性能进行判断。具体过程如下 将指针万用表选在R×100或R×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极。若测出的电阻值较小（硅管为几百～几千Ω，锗管为100～1kΩ），说明是正向导通，当红黑表笔对调后，反向电阻应在几百千欧以上，则可判断该二极管是正常的。 若不知被测的二极管是硅管还是锗管，可根据硅、锗管的导通压降不同的原理来判别。将二极管接在电路中，当其导通时，用万用表测其正向压降,硅管一般为0.6～0.7V，锗管为0.1～0.3V。 （3）稳压管的检测 1）极性的判别与普通二极管的判别方法相同。 2）好坏检测 万用表置于R×10k档，黑表笔接稳压管的“－”极，红笔接“+”，若此时的反向电阻很小（与使用R×1k档时的测试值相比校），说明该稳压管正常。 万用表R×10k档的内部电压都在9V以上，若此电压高于稳压管稳压值时，可达到被测稳压管的击穿电压，使其阻值大大减小。如果稳压值高于表内电池电压时，稳压二极管与普通二极管的分辨通过万用表就非常困难。 1.4.3半导体晶体管的识别与检测 1．晶体管的种类 晶体管的种类很多，按材料不同分为硅晶体管和锗晶体管；按结构分为NPN型晶体管与PNP型晶体管；按工作频率可分为低频管和高频管；按功率分为大功率管、中功率管、小功率管。 2．晶体管主要参数 （1）电流放大系数β 晶体管的电流放大系数，是表征晶体管对电流的放大能力，它有静态值和动态值两种。 （2）集电极最大电流ICM 集电极电流Ic值较大时，若再增加Ic，晶体管β值要下降，ICM是β值下降到额定值的2/3时，所允许通过的最大集电极电流。 （3）集电极最大允许耗散功率PCM 集