内容正文:
光学波的散射
光学波的散射
● 横波 引起切变,参与一定的散射作用
● 纵波,造成疏密区域,同时由于正负离子
的存在,形成带正负电的区域而产生电场
对载流子加了个附加势场,而导致散射。
在离子性半导体中,如Ⅱ -Ⅵ 族化合物硫化铅
,离子键占主要,Ⅲ -Ⅴ族GaAs有部分离子键
成份,长光学波有重要的散射作用。
在能带具有单一极值的半导体中,起主要散射的是长
波,比原子间距大很多倍的格波。
室温时,电子速度为105m/s ,对应波长为10-8m ,
要求格波波长也在10-8m ,原子间距为10-10m ,
所以是长波(波长比原子间距大)起主要散射作
用。
长声学波即弹性波,在散射中起作用的是纵波,
它使得原子分布的疏密变化,造成原子间距的
减小或增大,使得能带结构发生改变。
平衡时
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波的传播方向
振动时
● 横声学波
振动方向
平衡时
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振动方向→
← 振动方向
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疏
密
疏
波
振动
● 纵声学波
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←•
膨胀状态--
原子间距增大
压缩状态—
原子间距减小
纵声学波示意图
纵声学波→原子疏密变化→Eg变化→附加势→形变势
纵声学波的散射几率Ps与温度T的关系为:
平衡时
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振动方向 ←°•→
←•°→ 振动方向
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纵光学波
离子晶体
极化场
纵光学波的散射几率Po:
所以,晶格格波散射几率Pc 为:
和平均声子数相关
低温时声子数少散
射弱,所以,光学
波在高温时散射作
用明显。
对原子晶体:
主要是纵声学波散射;
对离子晶体:
主要是纵光学波散射。
低温时,主要是电离杂质的散射;
高温时,主要是晶格散射。
(3)其它散射机构
(a)等同能谷间散射——高温下显著
谷间散射:电子在等同能谷中从一个极值附近散射到另一个极值附近的散射。如硅的导带具有极值能量相同的六个等能面,载流子在其中的分布相同。
分类:A、弹性散射,与长波声子,在同一能谷
B、非弹性散射,与短波声子,在不同的
能谷间,吸收或发射一个高能声子
特点:低温时散射很小。
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