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载 流 子 的 扩 散 运 动
载 流 子 的 扩 散 运 动
对非平衡载流子有两种定向运动:
●电场作用下的漂移运动;
●浓度差引起的扩散运动。
扩散运动是由粒子浓度的不均匀所引起的,是粒
子的有规律的运动,但和粒子的无规热运动相关
● n很大,可以忽略n1
∵n=n0+n,n很大,说明n很大,大注入
● n1很小,说明陷阱中心的位置远离导带
深陷阱和浅陷阱
Ec
Ev
Et1
Et2
大注入、深能级有利于陷阱饱和
一、扩散定律和稳态扩散方程
1、扩散定律
均匀掺杂的N型半导体
非子从一端沿整个表面均匀产生,
且只在x方向形成浓度梯度 ,非子
是沿x方向扩散运动。
光照
x
非平衡载流子的扩散
A
B
0
x
x+Δx
在x=x处,取截面A,x=x+x处取截面B,两截面垂直于x轴,并且都为单位面积1cm2
扩散流密度 Sp(x):
单位时间通过扩散流过垂直的单位截面积的载流子
扩散定律
Dp为空穴的扩散系数,量纲为cm2/s
在x+x处,流密度为Sp(x+x)
在1秒钟内,在1x体积内的非子数为:
Sp(x)-Sp(x+x)
单位时间、单位体积中积累的非子为:
由表面注入的空穴,不断向内部扩散中,不断复合
而消失。在恒定的光照射下,表面非子浓度恒定。
称为 恒定扩散
2、稳态扩散方程
单位时间单位体积被复合掉的非子为 :
单位时间单位体
积积累的非子数
当:
上式为
在稳态时,积累的载流子应等于复合掉的载流子
通解为:
其中:
?
稳态扩散方程
3.典型样品的分析
(1) 足够厚的样品 W>>Lp
W>>Lp
x
hν
为解的形式,指数衰减
x
△p
0
Lp
↑
↑
↑
速度量纲
∵
∴
∴
x=0,注入(p0,
在对面界面上,(p=0
(B=0
x=0 (p(x)= (p0
● x=Lp
Lp称为平均扩散长度
个/s cm2
个/cm3
cm/s
●扩散流密度
非子浓度:
浓度梯度:
$