2022-2023学年高二物理竞赛课件：陷阱上的电子对电导的间接贡献

陷阱上的电子对电导的间接贡献 陷阱上的电子对电导的间接贡献 没有陷阱时： △n 和△p 的影响是相互独立的，在上面的公式 中，电子和空穴的情形是对称的，所以就了解能 级对电子的积累就行。 （小注入） 有电子陷阱后：以p型为例，少子为电子 当有一个非子（电子）落入陷阱时，必须有一个 多子（空穴）与它保持电中性。这些与陷阱中少 子相中和的多子空穴必然会引起附加的电导。 即，虽难陷阱中 电子本身不参加电导，但仍间接反映于附加电导中 在禁带中 有效陷阱效应 假设有效的电子陷阱，应有 rn>>rp，被俘获电子在复合前被激发到导带中。 省略 当： ∴ 即杂质能级和平衡时的费米能级重合时，最有有利于陷阱作用。 ∵ ∴ ●当Et>EF时，平衡时基本上空的，有利于陷阱的作用，但随Et的升高，即Ec-Et小，n1大，电子可以从Et 激发到Ec的几率增大，俘获变大，所以在费米能级之上但接近费米能级的杂质能级的陷阱效应最明显； ●当Et<EF时，在热平衡态时，Nt中大部分已被电子占有，空穴很少，不能起陷阱作用。 讨论： 所以，只有no是少子，有效的陷阱是对少子陷阱 如果电子是多子，就是Nt 和n0 相当或更大， (△nt)max 变化也不明显，即使杂质能级有利 于陷阱作用，但还不能形成有效的多子陷阱， 有效的电子陷阱是存在于P型材料中 有效的空穴陷阱是存在于N型材料中 ∴ 四、饱和陷阱 以电子陷阱为例： 达到平衡时： 电子的俘获率=电子的产生率 要达到饱和： 两种情况必须考虑 t △p (△p)o/e τ τ’ ↓ 浅陷阱 ↓ 深陷阱 在光电导衰减法测量寿命时，可以在脉冲电压上 加上恒定的光照，使得陷阱处于饱和，就可消除 陷阱的影响。 $