2022-2023学年高二物理竞赛课件：均匀基区晶体管的直流电流增益

均匀基区晶体管的直流电流增益 均匀基区晶体管的直流电流增益 发射效率（注入效率） 基区输运系数 2 共发射极接法 共发射极短路电流放大系数 远大于1，一般在20~200之间 低频共基极电流增益 3 共集电极接法 电流放大系数间的关系 以及 低频共基极电流增益 4 直流电流增益 忽略二阶小量 由 得 低频共基极电流增益 5 A. 发射效率 与均匀基区形式相同 证明分母第二项为方块电阻之比 计算基区 R□b ，在平行结平面取薄层dx，认为dx层内的杂质均匀分布，其电阻率为 低频共基极电流增益 6 dx层方块电阻 厚度Wb的薄层电阻 R□b 应由无数个dx薄层电阻并联 所以 所以 同理，对发射区 低频共基极电流增益 7 如何求 R□b 计算法：由所测得的 将高斯分布 代入 求得 代入 得到R□b 低频共基极电流增益 8 B. 基区输运系数（npn管） 得基区任意掺杂之 基区电荷 其中 为基区复合电流 低频共基极电流增益 9 对均匀基区 常数 代入上式得 对线性基区 代入（2-60）得 对指数分布 低频共基极电流增益 C. 电流放大系数 低频共基极电流增益 11 非理想效应 基区有效宽度随集电结偏压而变化的现象称为基区宽度调变效应（厄尔利效应） 基区宽变效应 12 $