2022-2023学年高二物理竞赛课件：低频共基极电流增益

低频共基极电流增益 低频共基极电流增益 有用的因素 低频共基极电流增益 有用的因素 低频共基极电流增益 定义 低频共基极电流增益 有用的因素 一、晶体管的三种连接方式及电流放大系数 低频共基极电流增益 电流增益的数学表达式 6 (a) 共基极接法 α＜1 并接近1(一般为0.95~0.995) 晶体管中的复合作用是不可避免的 故： α＜1说明共基接法无电流放大作用，但有电压(功率)放大作用 输入 输出 电压V 功率P 低频共基极电流增益 7 A.基区电子分布 扩散电流增加，漂移电流减少，但二者之和不变。 对不同 η (η=0为均匀基区）做基区电子归一化浓度分布曲线如图 由图可见：当η较大时，随着 基区杂质指数分布 其中 为电场因子 → 少子分布 8 发射区自建电场与基区处理类似 有 B. 发射区空穴分布 对一般平面管，发射区有杂质梯度 少子分布 9 C. 集电区杂质是均匀分布的，其中少子分布与均匀基区晶体管相同。图2-15给出了一个实际外延平面晶体管在不同工作电压下杂质分布及电场分布的计算结果。 少子分布 10 少子分布 D. 基区渡越时间 三 重掺杂发射区 禁带宽度变窄 有效掺杂浓度下降 $