2022-2023学年高二物理竞赛课件：MOS关态闸流管

MOS关态闸流管 8.4半导体闸流管 MOS关态闸流管 σ : Ω-1cm-1 ρ : Ωcm 参杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小． 同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高． MESFET工作原理 E型MESFET开启电压 均匀分布情况 MESFET基本结构 非理想因素 沟道长度调制效应 其中，沟长调制系数 速度饱和效应 亚阈值电流 亚阈值电流主要是扩散电流 习题 1（a）画出p沟道JFET结构的能带图 （b）定性地讨论I-V特性，包括电流方向以及电压特性 2 考虑一个n沟道JFET，它具有以下参数： Na=31018cm-3，Nd=81016cm-3，a=0.5m。 （a）计算内建夹断电压 （b）计算未耗尽沟道宽度为0.20 m时所需的栅极电压 3 N沟道硅MESFET的沟道长度是L=2 m。假定沟道中水平电场的均值是E=10kV/cm。计算如下情况时电子在沟道中的传输时间： （a）迁移率为常数n=1000cm2/Vs （b）速度达到饱和 $