内容正文:
微电子器件基础
光器件
第 7 章 光器件
7.1 光学吸收
7.2 太阳能电池
7.3 光电二极管
7.1 光学吸收
7.1 光学吸收
7.1.1 从紫外区到红外区的电磁波谱图
7.1 光学吸收
7.1.2 光吸收特性
7.1.3 几种半导体的吸收系数
7.1 光学吸收
7.2 太阳能电池
7.2.1 太阳能电池的基本结构
7.2 太阳能电池
7.2.2 PN结的光生福特效应
P-N结光生伏打效应就是半导体吸收光能后在P-N结上产生光生电动势的效应。光
生伏打效应涉及到以下三个主要的物理过程:
第一、半导体材料吸收光能产生出非平衡的电子—空穴对;
第二、非平衡电子和空穴从产生处向非均匀势场区运动,这种运动可以是扩散运动,也
可以是漂移运动;
第三、非平衡电子和空穴在非均匀势场作用下向相反方向运动而分离。这种非均匀势场
可以是结的空间电荷区,也可以是金属—半导体的肖特基势垒或异质结势垒等。
7.2 太阳能电池
PN结能带图
7.2 太阳能电池
对于在整个器件中均匀吸收的情形,短路光电流可以用下式表示
式中
GL 为光照电子−空穴对的产生率
A 为P-N结面积
A(Ln+Lp)为半导体产生光生载流子的体积。
由上式可知短路光电流取决于光照强度和P-N结的性质。
7.2 太阳能电池
7.2.3 太阳能电池的I-V特性
太阳能电池的等效电路图
7.2 太阳能电池
典型的太阳能电池I-V特性曲线
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