2022-2023学年高二物理竞赛课件：静态工作点的计算

静态工作点的计算 1 静态工作点的计算 通常可采用图解法和估算法 （1）图解法求静态工作点 例1.3.2 1. FET偏置电路 （1）自给栅偏压电路（自偏压电路） 直流偏置采用电流反馈式 偏置电路。 Rg为栅极泄放电阻 取0.1－10M 只适合于耗尽型FET 【例1.1.8】 以下重点介绍两种偏置电路：自偏压电路和分压式自偏压电路以及组成的CS电路结构与分析方法 一、FET的直流偏置和静态工作点的计算 （2）分压式自偏压电路 可以在转移特性曲线上画出这条偏压直线，交点Q为静态工作点。 由输出回路列出直流负载线： 可以在FET输出特性上得出“Q”点，求得IDQ、UDSQ 以下估算“Q”处的跨导gm ：（物理含义） 联立方程，可求得UGS和ID（舍去一组），再利用输出 方程求得UDSQ （2）估算法求静态工作点： 【例】 （1） 由FET组成的放大电路如图所示。设FET的漏极饱和电流IDSS=1mA，夹断电压VP = －2V，试求静态工作点，并验证它的合理性。 联列求解上列方程，可得二组解： 显然，第①组解是不合理的（因为VGSQ=-3.8V<VP）所以应舍去。 按第二组解：IDQ = 0.52mA， VGSQ = －0.6V 所以 VDSQ = VDD－(Rd+Rs)IDQ = 16－(10+10)×0.52 = 5.6V 显然，因VDSQ > VGSQ－VP = 1.4V， 说明FET工作在放大区。 【例】 （2） 由FET组成的放大电路如图，已知IDSS = 4mA，VGSQ = －2V，VP = －4V，试求IDQ、RS1和RS2的最大值。 因Rg上无直流通过，所以当要求VGS =－2V时，可写出 由此可得 因 为保证FET工作在放大区，要求 ， 。 $