2022-2023学年高二物理竞赛课件：耗尽型MOSFET

耗尽型MOSFET 靠这些正离子的作用， 能使P型衬底 表面感应出N型反型层，将两个 N＋区连通形成N型导电沟道。 耗尽型MOSFET 在制造过程，在栅极下方 的SIO2绝缘层掺入大量的 K＋（Na＋）正离子。 即使 需要满足的条件是： 此时，沟道未预夹断，沟道较宽， 用一个体电阻等效。 可变电阻区 放大区 （恒流区、饱和区） 工作条件： 满足 漏端预夹断点的连线是 放大区和可变电阻区的分界线 主要受 控制，与 几乎无关 表现为较好的恒流特性 （c）夹断区（截止区） 导电沟道消失，整个沟道被夹断 FET工作在截止状态 耗尽型NMOS管的伏安特性曲线 UP称为夹断电压 工作在放大区 条件： 转移特性用电流方程： IDSS称为饱和漏极电流 二、结型场效应管 三、FET的主要参数 （一）直流参数 （1）开启电压UT （2）夹断电压UP （3）饱和漏极电流IDSS （4）直流输入电阻 R GS（DC） 很大(107－109) （二）交流参数 （1）跨导（互导）gm (2)交流输出电阻rds (三)极限参数 （1）最大漏－源电压V（BR）DS （2）最大栅－源电压 V（BR）GS （3）最大耗散功率PDM §3.2 场效应管放大电路 场效应管和晶体管一样，也具有电压放大作用，它的三个电极s、d、g与三极管e、c、b相对应。 三种基本组态，共源(CS)、共漏(CD)和共栅(CG)，分别与三极管的共射(CE)、共集(CC)和共基(CB)相对应。 场效应管是一种电压控制器件，只需提供栅偏压，而不需提供栅极电流，所以它的偏置电路有其自身的特点。 它对偏置电路的要求因管子类型不同而有所不同。 种类 电压 增 强 型 耗 尽 型 NMOS PMOS N结型 P结型 NMOS PMOS 栅源电压 正 负 负 正 负（正） 正（负） 漏源电压 正 负 正 负 正 负 各类FET对偏置电压的要求: $