2022-2023学年高二物理竞赛课件：半导体三极管及其电路分析

半导体三极管及其电路分析 半导体三极管及其电路分析 半导体三极管的结构、特性与参数 一、三极管（双极型晶体管）的结构与 工作原 理 1、 结构与类型： NPN与PNP两种 从材料组成：硅三极管（NPN） 锗三极管（PNP） NPN型 内部结构特点 ●发射区掺杂浓度远高于集电区掺杂浓度 （发射区用于提供载流子） ●基区很薄（几个um），低掺杂浓度 ●集电结的结面积较大，有利于收集载流子 不能简单认为用两个PN结即可代替 PNP型 5 2. 三极管的基本工作机理 （1）工作时二个PN结的条件 发射结正向偏置，集电结反向偏置—三极管于放大状态 发射结正向偏置，集电结正向偏置—三极管于饱和状态 发射结反向偏置，集电结正向偏置—倒置工作状态 发射结反向偏置，集电结反向偏置—三极管于截止状态 （2）三极管放大工作状态时的三种基本连接 共基组态 共射组态 共集组态 （3）三种组态的实际连接 放大状态下各电极电流之间关系 直流电流放大倍数： ICEO穿透电流 饱和状态又如何？ 二、三极管的伏安（V—I）特性曲线 可以利用晶体管图示特性仪直接显示。 以下以CE电路为例介绍输入输出特性 输入特性曲线（与二极管的正向特性相似） 当B—E间电压从 0至1伏间曲线略向右移。 2 .输出特性曲线 $