2022-2023学年高二物理竞赛课件：压控振荡器（VCO或VF)

压控振荡器（VCO或V/F) 压控振荡器（VCO或V/F) 在一些使用场合，要求电路的振荡频率与控制电压成比例，即电压控制振荡频率。 下图是压控振荡器的一种电路方案 电路由一个积分器和一个同相滞回比较器组成。二极管作隔离，并作快速放电通路。稳压管用作同相比较器输出限幅。 工作原理简述如下： 时，假定同相比较器输出高电平（=VZ），D截止，积分器反向积分， 线性下降，当 下降至0并继续下降至VTL时，比较器输出 变为低电平（-VD≈-0.7V），随后D导电，C放电（较快）， 电位上升，当升至VTH时，输出又变高电平，如此周而复始，产生振荡。 从波形图可知，反向积分时间长，而放电时间很短，振荡周期由反向积分时间决定，所以有振荡周期： 状态发生转换的条件是 这时流过R3和R4的电流相等， 该图增加了一只R1’电阻，其它没有变，所以充放电时间一样，产生的是三角波和方波输出。 充放电电流相等的压控振荡器 二、数字式正弦波发生器 转换后的波形是一个台阶式的连续波形，加滤波后便可得到平滑的正弦波。 求和电路的阻值按正弦幅值取 IV特性 类似整流接触 Ew为有效势垒高度 金半接触——整流接触；势垒高度的计算； 外加电压存在时，肖特基势垒的变化； 肖特基势垒二极管的理想I-V关系； 肖特基二极管与pn结二极管的区别； 欧姆接触； 异质结； 1、掌握复习题1-8； 2、会画热平衡状态下，下列金半接触的能带图： 金属与n型半导体：Φm<Φs; Φm>Φs; 金属与p型半导体：Φm<Φs; Φm>Φs; 3.杂质半导体的特点是电导率高。 杂质半导体有两种类型：N型半导体的多子是自由电子，少子是空穴；P型半导体的多子是空穴，少子是自由电子。 4.多子的浓度与掺杂浓度有关，少子的浓度与温度等激发因素有关。 5.PN结具有单向导电性，它是构成各种半导体器件的基础。 二极管的基本特性 1.二极管的特点是：单向导电性。 2.二极管的伏安特性是非线性关系。 3.二极管的参数主要包括：性能参数和极限参数。极限参数主要有：最高工作频率、最大允许反向工作电压、最大允许电流和额定耗散功率等。 $