2022-2023学年高二物理竞赛课件：多级放大电路

多级放大电路 2 Au1 Au2 ui uo uo1 ui2 ※下一级的输入电阻作为上一级放大电路的负载电阻 ※上一级的输出电阻作为下一级放大电路信号源的内电阻 结论：总电压放大倍数等于各级电压放大倍数的乘积。（结论可推广到一般情况） 第三章 半导体三极管及其放大电路 多级放大电路 阻容耦合多级放大电路的分析 (2)动态分析求技术指标 北华航天工业学院 3 Au1 Au2 ui uo uo1 ui2 ※第一级为共集电极时应考虑输出电阻折合到输入回路中 结论：总输入电阻为多级放大电路第一级（输入级）的输入电阻。（条件：第一级为共发射极） 第三章 半导体三极管及其放大电路 3.6.1 多级放大电路 2. 阻容耦合多级放大电路的分析 (2)动态分析求技术指标 北华航天工业学院 4 Au1 Au2 ui uo uo1 ui2 ※第n级为共集电极时应考虑输入电阻折合到输出回路中 结论：总输出电阻为多级放大电路第n级（输出级）的输出电阻。（条件：第n级为共发射极） 第三章 半导体三极管及其放大电路 3.6.1 多级放大电路 2. 阻容耦合多级放大电路的分析 (2)动态分析求技术指标 北华航天工业学院 5 设: 1=2=50, rbe1 = 2.9k , rbe2 = 1.7 k 前级 后级 +UCC RS 1M (+24V) R1 20k 27k C2 C3 R3 R2 RL RE2 82k 43k 10k 8k 10k C1 RC2 T1 RE1 CE T2 第三章 半导体三极管及其放大电路 3.6.1 多级放大电路 2. 阻容耦合多级放大电路的分析 (3)典型电路 求: Aus , Ri , Ro 北华航天工业学院 6 关键:考虑级间影响。 1>. 静态: Q点同单级。 2>. 动态性能: 方法: Ri2 = RL1 Ri2 +UCC RS 1M (+24V) R1 20k 27k C2 C3 R3 R2 RL RE2 82k 43k 10k 8k 10k C1 RC2 T1 RE1 CE T2 第三章 半导体三极管及其放大电路 (3)典型电路性能分析 北华航天工业学院 7 考虑级间影响 2 Ri , Ro : 概念同单级 1 Ri Ro Ri2 +UCC RS 1M (+24V) R1 20k 27k C2 C3 R3 R2 RL RE2 82k 43k 10k 8k 10k C1 RC2 T1 RE1 CE T2 第三章 半导体三极管及其放大电路 北华航天工业学院 8 微变等效电路 RE1 R2 R3 RC2 RL RS R1 Ri Ri R 第三章 半导体三极管及其放大电路 Ri2 +UCC RS 1M (+24V) R1 20k 27k C2 C3 R3 R2 RL RE2 82k 43k 10k 8k 10k C1 RC2 T1 RE1 CE T2 北华航天工业学院 9 RE1 R2 R3 RC2 RL RS R1 Ri Ri R 第三章 半导体三极管及其放大电路 1. Ri = R1 //[ rbe1 +（ +1)RL1' ] 其中: RL1= RE1// ri2 = RE1// R2 // R3 // rbe1=RE1//RL1 = RE1//Ri2= 27 // 1.7  1.7k  Ri =1000//(2.9+51×1.7)  82k 北华航天工业学院 10 RE1 R2 R3 RC2 RL RS R1 Ri Ri R 第三章 半导体三极管及其放大电路 2. Ro = RC2= 10k 北华航天工业学院 11 RE1 R2 R3 RC2 RL RS R1 Ri Ri R 第三章 半导体三极管及其放大电路 3. 第一级电压源增益: 北华航天工业学院 12 RE1 R2 R3 RC2 RL RS R1 Ri Ri R 第三章 半导体三极管及其放大电路 3. 总电压源增益: 北华航天工业学院 $