内容正文:
用H参数小信号模型分析共射极基本放大电路
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用H参数小信号模型分析共射极基本放大电路
共射极放大电路
一般硅管VBE=0.7V,锗管VBE=0.2V, 已知。
第三章 半导体三极管及其放大电路
(1)利用直流通路求Q点
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3.模型的简化
ib
ic
vce
ib
vbe
ur vce
rbe
rce
ur很小,一般为10-310-4 ,
rce很大,约为100k。
故一般可忽略它们的影响,得到简化电路。
ib 是电流控制电流源。
电流方向与ib的方向关联。
第三章 半导体三极管及其放大电路
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vbe
vce
ib
c
e
b
ic
vbe= hieib+ hrevce
ic= hfeib+ hoevce
ib
ic
vce
ib
vbe
ur vce
rbe
rce
一般采用习惯符号
rbe= hie = hfe
ur = hre rce= 1/hoe
第三章 半导体三极管及其放大电路
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4.H参数的确定
——测试仪(给定)
rbe 与Q点有关,公式估算。
rbe= rb + (1+ ) re
其中:rb≈200 (低频小功率管)
而
(T=300K)
则
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Rb
vi
Rc
RL
共射极放大电路
ic
vce
+
-
交流通路
Rb
vi
Rb
Rb
vi
Rc
H参数小信号等效电路
第三章 半导体三极管及其放大电路
(2)画出小信号等效电路
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Rb
vi
Rc
RL
根据
电压增益为
第三章 半导体三极管及其放大电路
(3)求电压增益
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令
Ro = Rc
所以
第三章 半导体三极管及其放大电路
(4)求输入电阻
(5)求输出电阻
Ri
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第三级
第四级
第五级
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1. 电路如图所示。试画出其小信号等效模型电路。
例题1
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例题2
解:
(1)求Q点
2. 放大电路如图所示。已知=50。
试求:
(1)Q点;
(2)
、
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(2)
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例题3:放大电路如下图所示,估算Q点。
射极偏置电路
固定偏流电路
分压式射极
偏置电路
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� EMBED Equation.3 ���
� EMBED Equation.3 ���
� EMBED Equation.3 ���
� EMBED Equation.3 ���
Rb1
Rb2
Re
rbe
-
+
e
b
c
� EMBED Equation.3 ���
� EMBED Equation.3 ���
� EMBED Equation.3 ���
� EMBED Equation.3 ���
Rb1
Rb2
Rc
Re
rbe
-
+
e
b
c
� EMBED Equation.3 ���
� EMBED Equation.3 ���
� EMBED Equation.3 ���
� EMBED Equation.3 ���
� EMBED Equation.3 ���
Rb1
Rb2
Rc
Re
RL
rbe
+
-
-
+
e
b
c
-VCC
Rc
RL
Re
Rb2
Rb1
Cb2
Cb1
+
-
vo
vi
-
+
+
+
c
e
b
� EMBED Equation.3 ���
� EMBED Equation.3 ���
rbe
e
b
c
� EMBED Equation.3 ���
� EMBED Equation.3 ���
Re
rbe
e
b