2022-2023学年高二物理竞赛课件：三极管的特性曲线

三极管的特性曲线 2 (2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE>0，集电结是反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，相同vBE下IB减小，特性曲线右移。 (1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 (1)输入特性曲线: iB=f(vBE) vCE=const 三极管的特性曲线 0 0.2 0.4 0.6 0.8 100 80 60 40 20 iB/uA vBE/V + - b c e 共射极放大电路 VBB VCC vBE iC iB + - vCE 北华航天工业学院 3 （2） 输出特性曲线: iC=f(vCE) iB=const 第三章 半导体三极管及其基本电路 + - b c e VBB VCC vBE iC iB + - vCE 测量三极管特性的电路 iC/mA vCE/V 0 20uA 40 60 80 100 饱 和 区 截止区 放大区 北华航天工业学院 3 1分10秒 4 放大区：iC平行于vCE 轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。 iC = iB 饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏。 截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。vBE小于死区电压。发射结反偏，集电结反偏。 iC/mA vCE/V 0 20uA 40 60 80 100 饱 和 区 截止区 放大区 第三章 半导体三极管及其基本电路 北华航天工业学院 5 交流参数 直流参数 极限参数 结电容 Cb’c 、 Cb’e 集电极最大允许电流ICM 集电极最大允许功率损耗PCM 反向击穿电压 极间反向电流 ICBO 、 ICEO 交流电流放大系数  、 直流电流放大系数  、 4. 三极管的主要参数 第三章 半导体三极管及其基本电路 北华航天工业学院 6 （1） 电流放大系数 (1)共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB 第三章 半导体三极管及其基本电路 iC/mA vCE/V 0 20uA 40 60 80 100 20mA 60mA 40mA 80mA 100mA vCE=7V a b c d e iC/mA iB/uA 0 20mA 60mA 40mA 80mA vCE=7V a b d e 100mA 20 40 60 80 100 c 北华航天工业学院 7 (2) 共发射极交流电流放大系数:  =IC/IBvCE=const 在放大区且当ICBO和ICEO很小时， ≈，可以不加区分。 iC/mA vCE/V 0 北华航天工业学院 8 (2) ICEO：集电极发射极间穿透电流，ICEO=(1+ )ICBO （2）极间反向电流 (1) ICBO： 发射极开路时，集电结的反向饱和电流。 ICEO 第三章 半导体三极管及其基本电路 ICBO的测量 ICEO的测量 iC/mA vCE/V 0 20uA 40 60 80 100 饱 和 区 截止区 放大区 ICEO在特性曲线上的意义 北华航天工业学院 9 (1) 集电极最大允许电流 ICM (2) 集电结最大允许功率损耗 PCM = iCvCE (3)极限参数 (3) 反向击穿电压  V(BR)CBO ——发射极开路时的集电结反向击穿电压。  V(BR) EBO ——集电极开路时发射结的反向击穿电压。  V(BR)CEO ——基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。 第三章 半导体三极管及其基本电路 iC/mA vCE/V 0 过损耗区 过流区 过 压 区 安 全 工 作 区 北华航天工业学院 10 三极管共射极放大电路 第三章 半导体三极管及其放大电路 3.2 三极管放大电路的分析 3.3 三极管放大电路的稳定问题 3.4 共集电极和共基极放大电路 3.5 主要内容 多级放大电路和放大电路的频率响应 3.6 半导体三极管 3.1 北华航天工业学院 11 第三章 半导体三极管及其放大电路 3.2 三极管共射极放大电路 1.放大的概念 放大的对象：变化量 放大的本质：能量的控制与传递 放大的特征：功率放大 放大的基本要求：不失真——放大的前提 VCC 至少一路直流电源供电 北华航天工业学院 12 三极管T:放大的核心,电流分配、放大作用。 2.共发射极放大电路的结构和工作原理 VBB、Rb：使VBE＞ Vth，且有合适的IB。 VCC：使VCE≥VBE，同时作为负载的能源。 Rc：将Δi