2022-2023学年高二物理竞赛课件：N沟道耗尽型MOS管

N沟道耗尽型MOS管 2 N沟道耗尽型MOS管 N沟道耗尽型MOS管在制造时就在 中掺有大量的正离子，以至在 时，就在漏源之间感应出一个反型层，形成导电沟道。 上述与N沟道JFET相似。不同的是JFET不允许G 、S之间加正偏电压。 而增强型N沟道MOSFET 可以工作在 的情况。 第四章 场效应管及其放大电路 3 5、 N沟道耗尽型MOS管的特性曲线 N沟道耗尽型MOS管在vGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。 N沟道耗尽型MOS管转移特性曲线 0 iD vGS VP N沟道耗尽型MOS管可在或正、或负、或零的栅源电压下工作，而且基本上无栅流，输入电阻较大。 第四章 场效应管及其放大电路 4 iD v DS 0 vGS=0 vGS<0 vGS>0 N沟道耗尽型MOS管输出特性曲线 第四章 场效应管及其放大电路 5 各种FET的比较（见173页表4.3.1） 结型： 与 极性相反。 增强型： 与 极性相同。 耗尽型： 可正、可负、可零。 的极性取决于管子的类型 的极性取决于导电沟道类型 N沟道 P沟道 的方向（假定流进漏极为正） N沟道 P沟道 第四章 场效应管及其放大电路 6 FET的使用注意事项 有的衬底有外引线，一般N衬底（P沟道）的外引线接高电位，P衬底（N沟道）接低电位。 FET通常D、S可互换，如有的产品出厂时已在内部将衬底联线联好，这时D S不能互换。 JFET的栅源电压必须加反压。MOS管输入端不用时不能悬空。 焊接，运输，包装应注意。 第四章 场效应管及其放大电路 7 四、场效应管放大电路 (1) 静态：建立适当的静态工作点，使场效应管工作在恒流区。 (2) 动态：能为交流信号提供通路。 组成原则： 静态分析：估算法、图解法。 动态分析：小信号模型等效电路法。 分析方法： 第四章 场效应管及其放大电路 8 1、直流偏置电路及静态分析 （1）自偏压电路 构成电路的场效应管是耗尽型的JFET，所以电源接通后就有漏极电流ID，ID在RS上产生压降 ，由于Rg中没有电流，所以 。 这种偏置方式要求 时FET就有漏极电流，所以对于耗尽型FET适用，而不适用于增强型FET。 第四章 场效应管及其放大电路 9 （2）分压式自偏压电路 栅极电流近似为零，Rg3上无压降；Rg1和Rg2构成分压器。 这种偏置方式可用于增强型场效应管。 第四章 场效应管及其放大电路 10 （3）静态工作点的确定 分压式自偏压电路： 自偏压电路： 解方程组，根据电路求出VDS ，可得此电路的静态工作点。 VDS= VDD－ID(RS+Rd ) 第四章 场效应管及其放大电路 11 2、动态分析——小信号模型等效电路分析法 （1）FET的小信号模型 低频模型 高频模型 第四章 场效应管及其放大电路 12 （2）动态分析 （rd很大，可视为开路） 第四章 场效应管及其放大电路 $