2022-2023学年高二物理竞赛课件：JFET的主要参数

JFET的主要参数 2 JFET的主要参数 1.夹断电压VP 2.饱和漏极电流IDSS 3.最大漏源电压V（BR）DS 4.最大栅源电压V（BR）GS 5.低频跨导gm 6.输出电阻rd 第四章 场效应管及其放大电路 3 结型场效应管的缺点： 1. 栅源极间的电阻虽然可达106以上，但在某些场合仍嫌不够高。 3. 栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。 MOS场效应管可以很好地解决这些问题。 2. 在高温下，PN结的反向电流增大，栅源极间的电阻会显著下降。 第四章 场效应管及其放大电路 4 1、结构和电路符号 P N N G S D P型基底 两个N区 SiO2绝缘层 导电沟道 金属铝 G S D N沟道增强型MOS管 三、金-氧-半场效应管（MOS-JFET） 第四章 场效应管及其放大电路 5 N 沟道耗尽型MOS管 P N N G S D 预埋导电沟道 G S D 第四章 场效应管及其放大电路 6 N P P G S D G S D P 沟道增强型MOS管 第四章 场效应管及其放大电路 7 P 沟道耗尽型MOS管 N P P G S D G S D 预埋了导电沟道 第四章 场效应管及其放大电路 8 2、MOS管的工作原理 (以N 沟道增强型为例) （1）当 时,如在D、S之间加电压，无论极性如何，总有一个PN结反偏，所以没有导电沟道； 第四章 场效应管及其放大电路 9 导电沟道必须在 大于某个值后才产生的MOSFET叫做增强型FET，对应的 叫做管子的开启电压。 如在G S之间加正向电压，S与衬底相连，这样铝层和衬底之间形成以二氧化硅为介质的平行板电容器，形成一个纵向电场，且电场强度很强。在这个电场作用下排斥空穴，吸引电子，在两个N+区间形成反型层。当 时，反型层把D、 S相连，形成导电沟道（感生沟道）。 越大，导电沟道反型层越厚，导电沟道的电阻越小。 第四章 场效应管及其放大电路 10 当 时，如加上电压 ，那么D、S之间就会产生电流 。 较小时， 增大较快，同时使导电沟道的厚度变得不均匀： 靠近S端导电沟道宽，靠近D端沟道窄。 当 增大到一定值时， 使靠近D端产生夹断区-------预夹断，此后， 不再随的增加而增加------趋向饱和。 第四章 场效应管及其放大电路 11 3、增强型N沟道MOS管的特性曲线 N沟道增强型MOS管转移特性曲线 在特性曲线的恒流区有 : 0 iD vGS VT 第四章 场效应管及其放大电路 12 N沟道增强型MOS管输出特性曲线 iD v DS 0 4V 3V vGS=2V 5V 可变 电阻区 恒流区 击穿区 第四章 场效应管及其放大电路 $