2022-2023学年高二物理竞赛课件：PN结加正向电压自测题

PN结加正向电压自 测 题 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ） （2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（ ） （6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ） PN结加正向电压自 测 题 √ √ √ × × 呈电中性 绝缘栅型的管子ig=0，输入电阻无穷大 × 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （4） UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 A C B A、C 三、写出图示个电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。 D导通，UO1＝1.3V D截止，UO2＝0V D导通，UO3＝-1.3V D截止，UO4＝2V D导通，UO5＝1.3V D截止，UO6＝-2V 四、已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求图T1.4所示电路中UO1和UO2各为多少伏。 解：假设DZ反向击穿,则 IRL＝6V/2k=3mA IR＝(10-6)V/500=8mA IZ＝ IR-IRL＝5mA= IZmin DZ反向击穿， UO1＝6V 解：假设DZ反向击穿,则 IRL＝6V/2k=3mA IR＝(10-6)V/2k=2mA IZ＝ IR-IRL＝-1mA<IZmin DZ未击穿，不能稳压。 UO1＝5V 五、电路如图所示，VCC＝15V，β＝100，UBE＝0.7V。试问： （1）Rb＝50kΩ时，uO＝？ （2）若T临界饱和，则Rb≈？ 解：（1） UO＝UCE＝2V （2）设临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V 六、测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表T1.7所示，它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区），并填入表内。 恒流区 管 号 UGS（th）/V US/V UG/V UD/V 工作状态 T1 4 －5 1 3   T2 －4 3 3 10 T3 －4 6 0 5   可变电阻区 截止区   预夹断轨迹： uDS=uGS-UGS(th) UGS(th) >0 增强型N沟道 增强型P沟道 UGS(th) <0 1.1 选择正确答案填入空内。 （1）在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体，加入 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 （2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 （3）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 。 A. 83 B. 91 C. 100 （4）当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将 。 A.增大 B.不变 C.减小 A C C A A 第一章习 题 1.2 电路如图 所示，已知ui=10sinωt(V)，试画出ui与uo的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。 解： ui>0V时，D导通，uo＝ ui ui<0V时，D截止，uo＝0V 1.3 电路如图 所示，已知ui=5sinωt(V)，二极管正向导通电压UD=0.7V试画出ui与uo的波形,并标出幅值。 解： ui-3V>0.7V时，即ui>3.7V时， D1导通，uo＝ 3.7V -3V-ui>0.7V时，即ui<-3.7V时， D2导通，uo＝ -3.7V -3.7V<ui<3.7V时