内容正文:
两种半导体和两种载流子
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两种半导体和两种载流子
两种载流
子的运动
电子
— 自由电子
空穴
— 价电子
两 种
半导体
N 型 (多电子)
P 型 (多空穴)
二极管
1. 特性
— 单向导电性
正向电阻小(理想为 0),反向电阻大()。
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使用FET的几点注意事项:
保存:注意将几个管脚短路(用金属丝捆绑)
测量:一般不可测(MOS)。(为什么?)
焊接:
各电极焊接顺序为:
S→D→G
断电焊接。
电烙铁要有中线。
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一、工作在恒流区时电压uGS,uDS 的极性
复习:
1.结型
N沟道:
P沟道:
2.绝缘栅型
N沟道:
P沟道:
增强型
耗尽型
N沟道:
P沟道:
5
二、写出场效应管输出特性中三个工作区域的名称及条件
1
2
3
结型N沟道:
增强型NMOS:
耗尽型NMOS:
1.三个工作区域
2.三个工作区域的条件
6
种 类 符 号 转移特性曲线 输出特性曲线
结型
N 沟道 耗尽型
结型
P 沟道 耗尽型
绝缘
栅型
N 沟道 增强型
S
G
D
S
G
D
ID
UGS= 0V
+
UDS
+
+
o
S
G
D
B
UGS
ID
O
UGS(th)
各类场效应管的符号和特性曲线
+
UGS = UGS(th)
UDS
ID
+
+
+
O
ID
UGS= 0V
-
-
-
UDS
O
UGS
ID
UGS(off)
IDSS
O
UGS
ID /mA
UGS(off)
IDSS
O
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种 类 符 号 转移特性曲线 输出特性曲线
绝缘
栅型
N 沟道 耗尽型
绝缘
栅型
P 沟道 增强型
耗尽型
ID
S
G
D
B
UDS
ID
_
UGS=0
+
_
_
O
ID
UGS
UGS(off)
IDSS
O
S
G
D
B
ID
S
G
D
B
ID
ID
UGS
UGS(th)
O
ID
UGS
UGS(off)
IDSS
O
_
ID
UGS=UGS(th)
UDS
_
o
_
UGS= 0V
+
_
ID
UDS
o
+
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第一章总结
主要内容
半导体的基础知识
二极管、三极管、场效应管的结构、工作原理和特性曲线
重点掌握:
1. 概念:两种载流子;扩散运动和漂移运动;
PN结的形成;PN结的单向导电性。
2.理解二极管的伏安特性曲线及特性方程
3.会分析简单的二极管电路
4.理解稳压管的稳压作用
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5. 理解三极管的放大作用和开关作用
6.理解三极管的特性曲线
7.会分析三极管的三种工作状态
8.理解场效应管的放大作用、开关作用和变阻作用
9.理解场效应管的恒流、夹断、变阻三种工作状态
10.会分析场效应管的三种工作状态
10
iD
O uD
U (BR)
I F
URM
2. 主要参数
正向 — 最大平均电流 IF
反向 —
最大反向工作电压 U(BR)(超过则击穿)
反向饱和电流 IR (IS)(受温度影响)
IS
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3. 二极管的等效模型
理想模型 (大信号状态采用)
uD
iD
正偏导通 电压降为零 相当于理想开关闭合
反偏截止 电流为零 相当于理想开关断开
恒压降模型
UD(on)
正偏电压 UD(on) 时导通 等效为恒压源UD(on)
否则截止,相当于二极管支路断开
UD(on) = (0.6 0.8) V
估算时取 0.7 V
硅管:
锗管:
(0.1 0.3) V
0.2 V
折线近似模型
相当于有内阻的恒压源 UD(on)
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4. 二极管的分析方法
图解法
微变等效电路法
5. 特殊二极管
工作条件
主要用途
稳压二极管
反 偏
稳 压
发光二极管
正 偏
发 光
光电二极管
反 偏
光电转换
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