内容正文:
基本放大电路的派生电路
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基本放大电路的派生电路
复合管放大电路
共射—共基放大电路
共集—共基放大电路
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复合管放大电路
一、复合管的组成及其电流放大系数
两只PNP型管构成的PNP型管
T1
T2
iB1
iB2 (iE1)
iE2
iC1 +iC2
iC2
iC1
两只NPN型管构成的NPN型管
T1
T2
iB1
iB2 (iE1)
iE2
iC1 +iC2
iC2
iC1
T1
T2
iB1
iB2 (iC1)
iE2
iE1 +iC2
两只不同类型管构成的PNP型管
iC2
iE1
T1
T2
iB1
iB2 (iC1)
iE2
iE1 +iC2
两只不同类型管构成的NPN型管
iC2
iE1
不同类型的管子复合后,其类型决定于第一级管子
iB方向决定复合管的类型
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T1
T2
iB1
iB2 (iE1)
iE2
iC1 +iC2
NPN型管构成的NPN型管
iB
iC
iE
由晶体管构成的复合管电流放大倍数很高,因此只需很小
的输入驱动电流iB,便可获得很大的iC或iE。
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2、为了实现电流放大,应将第一只管子的集电极或发射极电流做为第二只管子的基极电流。
复合管的组成原则:
1、在正确的外加电压下每只管子的各极电流均有合适的通路,且均工作在放大区;
讨论:判断下列各图是否能组成复合管
√
√
√
√
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二、基本共漏放大电路
静态分析:
+VDD
基本共漏放大电路
VGG
Rg
Rs
ui
T
+
-
+
-
uo
+VDD
直流通路
VGG
Rg
Rs
T
+
-
uo
联立求解IDQ、UGSQ
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基本共漏放大电路的动态分析
+VDD
基本共漏放大电路
VGG
Rg
Rs
ui
T
+
-
+
-
uo
交流通路
Rg
Rs
T
+
-
+
-
Rg
Rs
T
+
-
+
-
g
d
s
+
-
Rg
Rs
+
-
+
-
微变等效电路
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g
d
s
+
-
Rg
Rs
+
-
+
-
电压放大倍数
微变等效电路
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求解基本共漏放大电路
的输出电阻
g
d
s
+
-
Rg
Rs
+
-
输入电阻
输出电阻
g
d
s
+
-
Rg
Rs
+
-
+
-
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已知图示电路中,已知场效应管的开启电压UGS(th)=3V,IDO=8mA; Rs=3k;静态时IDQ=2.5mA ,场效应管工作在恒流区。试估算电路的 和Ro。
例
g
d
s
+
-
Rg
Rs
+
-
+
-
解:首先求出gm
+VDD
基本共漏放大电路
VGG
Rg
Rs
ui
T
+
-
+
-
uo
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2.6.4 场效应管放大电路的特点
场效应管(单极型管)与晶体管(双极型管)比较:
优点:
输入电阻高;(电压控制器件)
噪声低、温度稳定性好、抗辐射能力强
缺点:
便于集成,构成低功耗电路
放大能力比晶体管差,放大倍数低。
由于场效应管栅源之间的等效电容只有几皮法到几十皮法,而栅源电阻又很大,若有感应电荷则不易释放,从而形成高压,以至于将栅源间的绝缘层击穿,造成永久性损坏。使用时应注意保护。
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习题(写在作业本上)
P142: 2.15, 2.16,
思考题:
自测题:
P136
P123
P144: 2.14, 2.17, 2.18
新版(第5版)
第4版
习题(写在作业本上)
P120: 2.15, 2.16,
思考题:
自测题:
P116
P100
P120: 2.14, 2.17, 2.18
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