内容正文:
场效应管放大电路的动态分析
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场效应管放大电路的动态分析
一、场效应管的低频小信号等效模型
g
d
s
输
入
端
口
输
出
端
口
研究动态信号作用时用全微分表示
g
d
s
+
-
交流等效模型
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利用场效应管电流方程,估算静态工作点
VGG
Rg
Rd
+VDD
T
+
-
uo
直流通路
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二、自给偏压电路
Rg
Rd
+VDD
ui
T
+
-
+
-
uo
+
C1
C2
+
Rs
Cs
+
由正电源靠源极电阻上的电压为栅-源之间提供一个负偏压,称为自给偏压
哪种场效应管能够采用这种电路形式设置Q点?
在静态时,由于场效应管栅极电流为零,因而栅极电位UGQ= 0
+VDD
Rg
Rd
T
Rs
Cs
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Rg
Rd
+VDD
ui
T
+
-
+
-
uo
+
C1
C2
+
RL
耗尽型MOS管放大电路
自给偏压共源放大电路
自给偏压的一种特例
其中UGSQ= 0。
IDQ
UGSQ= 0
转移特性
iD
uGS
UGS(off)
O
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Rg1
+
-
+
C1
Rd
+VDD
T
+
-
C2
+
Rs
Cs
+
Rg2
Rg3
A
g
RL
三、分压式偏置电路
为什么加Rg3?其数值应大些小些?
即典型的Q点稳定电路
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g
d
s
+
-
交流等效模型
近似分析时可认为其为无穷大!
根据iD的表达式或转移
特性可求得gm
g
d
s
+
-
简化交流等效模型
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☆由增强型MOS管的电流方程求导可得出gm的表达式。
由于增强型MOS的电流方程为:
求导:
在小信号作用时,可用IDQ近似iD ,得
该式表明, gm与Q点紧密相关,Q点愈高, gm愈大。
因此,场效应管放大电路与晶体管放大电路相同,Q点不仅影响电路是否会产生失真,而且影响电路的动态参数。
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二、基本共源放大电路的动态分析
基本共源放大电路
VGG
Rg
Rd
+VDD
ui
T
+
-
+
-
uo
Rg
Rd
T
+
-
+
-
Rg
Rd
T
+
-
+
-
交流通路
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微变等效电路
g
d
s
+
-
Rg
Rd
+
-
+
-
Rg
Rd
T
+
-
+
-
电压放大倍数
输入电阻
输出电阻
有电压放大能力;
输出电压与输入电压反相;
共源电路比共射电路的输入电阻大得多。
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已知图2.7.2所示电路中,VGG=6V, VDD=12V ,Rd=3k;场效应管的开启电压UGS(th)=4V,IDO=10mA。试估算电路的Q点、 和Ro。
解:(1)估算静态工作点:
已知UGS= VGG=6V,
(2)估算 和Ro
例
VGG
Rg
Rd
+VDD
ui
T
+
-
+
-
uo
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电压放大倍数
输出电阻
共源电路的电压放大能力远不如共射电路,因此只有在要求输入电阻很高的时候才用共源电路。
VGG
Rg
Rd
+VDD
ui
T
+
-
+
-
uo
g
d
s
+
-
Rg
Rd
+
-
+
-
提高共源放大电路的电压放大能力,最有效的办法是增大漏极静态电流以增大gm。
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