2022-2023学年高二物理竞赛课件：减小β影响的镜像电流源电路

减小β影响的镜像电流源电路 减小β影响的镜像电流源电路 为减小β的影响，可在T1管C、B极间的短路线插入一射随器T3，改进型电路。如图4.5.2所示。 增加T3，减小了iB对IR的分流作用，使iC1(=iC2)更接近IR。 T1 VCC iC1 R T2 IR IO i RE T3 当温度变化时，由于、VBE(on)的影响，IO热稳定性降低。 精度及热稳定性 由 得知： 当 较小时，IO与IR之间不满足严格的镜像关系=，IO精度降低。 （2）输出电阻RO（恒流特性） 又由 得知： 当考虑基宽调制效应时，根据 得 则修正为 (4-4-7) (4-4-6) (4-4-4) (2-2-20) V A进一步降低了IO的精度和热稳定性。 单击此处编辑母版文本样式 第二级 第三级 第四级 第五级 图4.4.2 减小β影响的镜像电流源电路 为避免T3的IE3电流过小，使 3下降（P70） ，加电阻RE ，可使IE3增大。 整理得 (4-4-8) T1 VCC iC1 R T2 IR IO i RE T3 3、比例式镜像电流源 T1 VCC iE1 R T2 IR IO R1 R2 iE2 结构特点 法2：两管射极串接不同阻值的电阻。 由 （1较大） （2较大） 对管T1与T2特性相同(温度补偿) 根据 (2-2-8) (4-4-9) 得 (4-4-10) 式中 得 3、比例式镜像电流源 3、比例式镜像电流源 RO更大，IO恒流特性得到改善。 优点 (4-4-11) T1 VCC iE1 R T2 IR IO R1 R2 iE2 改进式比例镜像电流源电路 改进式比例镜像电流源 4.4集成运算放大器中的(多路比例式)电流源 带缓冲级的比例电流源 题4-46 题4-47 较大时， 一对一。 例：VCC = 10V，先设计要求IC2 = 1A，则 R=10M。 需占用硅片面积大。 4、微电流源(A级) 按集成工艺要求，电阻值不易做大 P99？，故前述电流源的IO只做到mA量级。SMT(SMC、SMD) 4、微电流源(A级) T1 VCC R T2 IR IO R2 iE2 现令比例镜像电流源中的R1=0。 由前 式中 得 两管不配对，特性不对称。 (4-4-12) 优点:T1、T2两管的VBE差值很小时，即IC2≠IC1，只要较小的R2，就可提供很小的A量级输出电流。 例：已知VCC=15V，IREF =1mA， IC2 =20A，VBE1=0.7V，则 由（1）得： R2 = 5k; 由（2）得： R = 15k。 2、两管不配对，特性不对称。 输出电阻 3、RO大，精度高。 $