2022-2023学年高二物理竞赛课件：组合放大器

组合放大器 （1）共发射极电路既有AV又有Ai，其Ri不大，RO也不大；Vo 和Vi相位相反。 广泛用于各种低频放大器、多级放大器提供增益的增益级中（电压放大电路）。 （2）共基极电路有AV，没有Ai，Vi和Vo同相位；其Ri较小，RO大；更接近理想的电流放大器（P166表）， 低内阻RS→→→Ri小、RO大；→→→到高阻RL？ 因频率特性好，故常与共发电路配合，组成宽带放大器。广泛应用于高频、宽频带放大器中。（Vi在很宽的频率范围内变化时，放大性能基本不变）。 组合放大器 分析电路性能时，必须考虑负载管衬底效应的影响（用背栅跨导表示）。 分析集成MOS放大器时，需注意以下问题： 分析过程中，压控电流源的控制电压与电流源两端电压相等时，压控电流源可用等效电阻置换。 无论是CMOS放大器还是NMOS放大器，只要采用场效应管作有源电阻，则其电流流向必须与放大管电流流向一致。 分析得知：共源CMOS放大器的Av >E/DMOS的Av >E/EMOS的Av。 共集电极电路，有Ai，没有AV=1，Ri大，RO小，更接近理想的电压放大器（P166表）， 高内阻RS→→→Ri大、RO小；→→→到低阻RL？ 应用： 作多级放大器输出级，减小总Ro，提高带载能力，且Vo 和Vi同相位，可作功率放大电路。 作多级放大器输入级，提高整个放大器的Ri。 作两级放大器间的缓冲级(隔离级)，提高前级增益，改善放大电路的性能。 组合放大器 1、共集-共发组合放大器CC-CE———达林顿 vs + - RL + - vo RS + - vi io ii T1 T2 CE电路增益高、共集电路Ri高、Ro低的特性，使CC-CE组合电路更接近理想的电压放大器(P166)。 题4-28 4.2.4 组合放大器 三种基本组态放大器的性能特点各不相同，若将它们适当组合，可使放大器的性能更接近理想化。 (4-2-50) 2、共集-共基组合放大器CC-CB vs + - RL + - vo RS + - vi io ii T1 T2 由于 则 （如两管参数相同） 其中 （如两管参数相同） 优点 Ri较大，有一定电压放大能力，通频带较宽，高频特性好。 题4-27 io向左 (4-2-51) (4-2-52) 3、共发-共基组合放大器CE-CB 题4-30 vs + - RL + - vo RS + - vi io ii T1 T2 与单管的相同 特点：输入电阻较大，有一定的电压放大，有较宽的通频带。 电压放大能力强，高频特性好。 优点 利用共发电路增益高、共基电路Ri低、Ro高的特性，使CE-CB组合电路更接近理想的电流放大器(P166)。 １、复合管：也称为达林顿管 作用：构成高β管或高跨导管； 提高输入电阻rbe 集成功放电路、共集电极电路等。 8 　（1）前后两管连接应保证前级输出电流与后级输入电流实际方向一致。 T1管的c或e极接T2管的b极。 　（2）外加电压的极性应保证前后两个管子均为发　　　　　射结正偏，集电结反偏，都在放大区（电流走的通）。 单击此处编辑母版文本样式 第二级 第三级 第四级 第五级 复合管的错误连接方式 结 论 1. 两个同类型的三极管组成复合管，其类型与原来相同。复　合管的   1 2，复合管的rbe = rbe1 +（1+1 ） rbe2 。 2. 两个不同类型的三极管组成复合管，其类型与前级三极管　相同。复合管的   1 2，复合管的 rbe = rbe1 +（1+1 ） rbe2 。 3. 在集成运放中，复合管不仅用于中间级，也常用于输入级　和输出级。 优点 可以获得很高的电流放大系数  ； 提高中间级的输入电阻； 提高了集成运放总的电压放大倍数。 D：复合管β＝β1β2 (2) 复合管的构成条件和特点： A：两管的电流方向必须相统一 B：第二只管的发射极必须单独接出 C：复合管的导电类型由第一只管的导电类型决定 $