2022-2023学年高二物理竞赛课件：BG与FET放大电路的性能比较

BG与FET放大电路的性能比较 BG与FET放大电路的性能比较 1、ib≠0，共E，共C的Ri有限≠∞， 且共C的Ri最大。 2、相同ICQ下， gm——FET<<BG; AV——共E，共B的>共S，共G的； Ri——共B的<共G的； RO——共C的<共D的； 三种组态电路性能 RC vs + - RL + - vo RB RS + - vi vs + - RL + - vo RE RS RC vi + - RE vs + - RL + - vo RB RS + - vi 小 大 小 大 大 小 大 大 1 大 中 中 共发 共基 共集 Ri Ro Av Ain 4、BG与FET放大电路的性能比较P182-183 组态对应关系： CE BJT FET CS CC CD CB CG BJT FET 电压增益： CE： CC： CB： CS： CD： CG： 输出电阻： BJT FET 输入电阻：因ib≠0 CE： CC： CB： CS：∞ CD：∞ CG： CE： CC： CB： CS： CD： CG： 4、BG与FET放大电路的性能比较P182-183 1、对放大电路重点做静态分析。 2、分析放大电路的动态范围和失真情况（饱和失真和截止失真）。 小 结 3、放大器的动态指标（参数）：输入、输出电阻、电流、电压放大倍数。 4、分析放大电路的基本方法是微变等效电路法，它是将非线性电路等效为线性电路的重要方法。 5、三种组态电路性能比较与特点。 XXXXX4.3.5 集成MOS放大器 XXXXX 集成MOS放大器与分立MOS放大器电路结构相同，只是为了提高集成度，集成MOS放大器中的负载电阻采用了以不同方法实现的有源电阻。 集成MOS放大器类型： NMOS放大器 CMOS放大器 放大管NEMOS 负载管NEMOS 放大管NEMOS 负载管NDMOS E/EMOS放大器 E/DMOS放大器 放大管、负载管均为E型 但沟道互补 一、1、E/EMOS放大器 VDD + - vo + vi T2 T1 - 要求两管工作在饱和区， 交流通路 gm1vgs1 + - vo + - vi rds1 g1 s1 rds2 gm2vgs2 gmu2vus2 微变等效电路 由于gm2vgs2= -gm2vo ， 则受控源 gm2vgs2等效为电阻：1/gm2 因 gmu2vus2= -gmu2vo ， 则受控源 gmu2vus2等效为电阻：1/gmu2 ， 即 + - vo + vi T2 T1 - g2 s2 g1 s1 gm1vgs1 + - vo + - vi rds1 g1 s1 rds2 gm2 1 gmu2 1 简化等效电路 电压增益： 其中 2= 0.1 ~ 0.3 由于MOS管跨导 所以 （小于10倍） (4-2-38) (4-2-37) (4-2-39) 2、E/DMOS放大器 要求两管工作在饱和区： 由于 vgs2= 0 ， 因此受控源 gm2vgs2开路。 因 gmu2vus2= -gmu2vo ， 则受控源 gmu2vus2等效为电阻：1/gmu2 ， 即 VDD + - vo + vi T2 T1 - VDD vo gm1vgs1 + - + - vi rds1 g1 s1 rds2 gmu2 1 简化等效电路 （几十倍） (4-2-41) 二、CMOS放大器 结构特点： 两增强型MOS管沟道互补，衬底彼此电隔离。 若NMOS管S极接最低电位 若PMOS管S极接最高电位 则S极可与U极直接相连 因此，CMOS放大器不存在衬底效应。 N P P + P + N + N + CMOS共源放大器 要求两管工作在饱和区： ， 即 vo gm1vgs1 + - + - vi rds1 g1 s1 rds2 VDD + - vo + vi T2 T1 - VGG 由 vgs2= vus1 = vus2 = 0 ，画出简化等效电路。 则 由于 ， 因此 （500~2000倍） (4-2-43) (4-2-42) $