内容正文:
基本放大器
基本放大器
RD
RG
vs
+
-
RL
+
-
vo
RS
+
-
vi
vs
+
-
RL
+
-
vo
RS
RS
RD
vi
+
-
RG
vs
+
-
RL
+
-
vo
RS
+
-
vi
RS
(共源)
(共漏)
(共栅)
以N-EMOS为例。
T
+
-
+
-
VCC
RC
vi
vo
(共发)
T
+
-
+
-
VCC
RE
vi
vo
(共集)
T
+
-
+
-
VCC
RC
vi
vo
(共基)
基本放大器
in—D,C不行;
OUT—G,B不行。
一、共源放大器
共源、共栅和共漏放大器性能
场效应管电路的ig=0。
RD
RG
vs
+
-
RL
+
-
vo
RS
+
-
vi
gmvgs
RD
RG
vs
+
-
RL
+
-
vo
RS
+
-
vi
rds
g
s
R′i
Ro
(4-2-1)
(4-2-2)
Ri
画出交流通路
画混∏参数微变等效电路。
R'o
一、共源放大器
RD
RG
vs
+
-
RL
+
-
vo
RS
+
-
vi
gmvgs
RD
RG
vs
+
-
RL
+
-
vo
RS
+
-
vi
rds
g
s
R′i
Ro
反相放大
(4-2-3)
共源、共栅和共漏放大器性能
Ri
R'o
接RS的共源放大器
RD
RG
vs
+
-
RL
+
-
vo
RS
+
-
vi
RS
gmvgs
RD
RG
vs
+
-
RL
+
-
vo
RS
+
-
vi
rds
g
s
Ri
Ro
RS
Ro
不变
经推导
则
增大
减小
i
i
+
T
+
RG1
S
D
G
RD
VDD
+
RL
RS
RG2
CG
CS
CD
+
+
+
图 4-2-3 分压式偏置电路
RS
120K
80K
4K
10K
10K
50
ID
(+20V)
例4-2-1 已知nCOXW/(2l)=0.25mA/V2,VGS(th)= 2V,λ=0
耦合、旁路电容。求Ri、R0、AV。
解:N-EMOS,
假设T工作在放大模式(?区)
要求交流指标,要交流参数,
要求直流(先)。
(3-1-9)
画直流通路。图4-2-4(a)
+
-
带入已知条件,解上述方程组得:
IDQ= 1mA
VGS= 4V>2V
及
IDQ= 2.25mA
VGS= -1V<2V
(舍去)
VDS= VDD-IDQ(RD + RS)= 6V>4-2=2V
因此
VGS > VGS(th),
VDS > VGS–VGS(th) ,
验证得知:
假设成立。
例4-2-1
(3-1-16)
画交流通路。图4-2-4(a)
(4-2-3)
(4-1-21)
二、共栅放大器
vs
+
-
RL
+
-
vo
RS
RS
RD
vi
+
-
vs
+
-
RL
+
-
vo
RS
RS
RD
gmvgs
ii
io
+
-
vi
g
s
Ri
ii
所以
(4-2-5)
rds
Ri
(4-2-4)
Ro
P65
R′o
i
画出交流通路。
画混∏参数微变等效电路。
二、共栅放大器
(4-2-6)
(4-2-7)
(4-2-10)
二、共栅放大器
(4-2-8)
(4-2-9)
(4-2-4)
4.2.1 共源、共栅和共漏放大器性能
三、共漏放大器,又称源极输出器
RG
vs
+
-
RL
+
-
vo
RS
+
-
vi
RS
g
RS
RG
vs
+
-
RL
+
vo
RS
+
-
vi
rds
-
gmvgs
s
同相放大
(4-2-12)
(4-2-11)
Ri
Ro
P65
R′i
画出交流通路,书无RG
画混∏参数微变等效电路。
$