2022-2023学年高二物理竞赛课件：场效应管的主要参数

场效应管的主要参数 场效应管的主要参数 一、直流参数： 1）开启电压VGS（th) 2）夹断电压VGS（0ff) 3）饱和漏极电流IDSS 4）直流输入电阻RGS（DC） E-MOS管的参数 结型管和D-MOS管的参数 对于耗尽型管，在VGS=0时产生预夹断时的iD定义为IDSS。 结型管：RGS(DC)>107Ω MOS管：RGS(DC)>109Ω +  T + RG S D G RD R2 VDD + RL RS R1 C1 CS C2 + + + 图 2.7.5　分压 式偏置电路 图解法 由式 可做出一条直线， 另外，iD 与 uGS 之间满足转移特性曲线的规律，二者间交点为静态工作点，确定 UGSQ， IDQ 。 根据漏极回路方程 　　在漏极特性曲线上做直流负载线， 与 uGS = UGSQ 的交点确定 Q，由 Q 确定 UDSQ 和 IDQ值。 UDSQ uDS = VDD – iD(RD + RS) 3 uDS/V iD/mA 0 1 2 15 2 V 10 5 uGS 4.5V 4V 3.5V UGSQ 3 V VDD Q IDQ uGS/V iD/mA O 2 4 6 1 2 Q IDQ UGSQ UGQ 自给偏压电路 1. 结型场效应管放大电路。 （1）电路组成：自给偏压。 （2）静态Q点的确定： 静态时 2. DMOS管放大电路。 静态时 交流参数 1）低频跨导gm 2）极间电容： Cgs、Cgd、Cds 恒流区时： 说明 ①gm是转移特性曲线上某点切线的斜率； ②iD gm 极限参数 3）最大耗散功率 PDM 1）最大漏极电流 IDM 2）击穿电压：V(BR)DS、V(BR)GS VGS = VDS = VDD - ID (Rd + R ) - IDR 可解出Q点的VGS 、 ID 、 VDS VP 1、静态工作点图解 FET的直流偏置电路及静态分析 Q点： VGS 、 ID 、 VDS VGS = VDS = 已知VP ，由 VDD - ID (Rd + R ) - IDR 可解出Q点的VGS 、 ID 、 VDS FET的直流偏置电路及静态分析 2、静态工作点计算 Rg1、Rg2：栅极偏置电阻，Rs：源极电阻，Rd：漏极负载电阻。与共射基本放大电路的Rb1、Rb2，Re和Rc分别一一对应。要求：结型场效应管栅源间PN结反偏工作，无栅流，JFET和MOSFET的直流通道和交流通道是一样的。 例3：直流分析：用（3-2-3） 根据图可写出下列方程 VG=VDDRg2/(Rg1+Rg2) VGSQ= VG－VS= VG－IDQR IDQ= IDSS[1－(VGSQ /VGS(off))]2 VDSQ= VDD－IDQ(Rd+R) 于是可以解出VGSQ、IDQ和VDSQ。 （3-2-3） 例3：直流分析：用（3-2-3） 11 练习题：1.电路如图所示，ui1为1kHz的正弦波， ui2为1kHz的方波。试求输出电压和输入电压的关系，并画波形。 答案：uo=ui1+2ui2 12 练习题：2.电路如图所示。（1）求输入阻抗Zi的表达式；（2）已知R1=R2=10kΩ ,为了获得1亨利的模拟电感，元件Z应该用什么元件？其值应取多大？ 答案(1)Zi=R1R2/Z,(2)容抗；（3）0.01uF $