内容正文:
共集电极直流电流传输方程
共集电极直流电流传输方程
直流电流传输方程:
C
E
B
C
T
IE
IB
电流方程:
1、放大模式下;
2、适用于NPN/PNP;
3、适用于三种组态。
(2-1-5)
(2-1-12)
(2-1-16)
(2-1-13)
(2-1-8)
(2-1-17)
(2-1-17)
发射结正向偏置。
集电结反向偏置。
图中VCC>VBB
电路放大含义:① 放大的对象是变化量,如扩音机待放大的是不断变化的各种音频信号。②不失真。
③能量转换?:输出电压、电流或能量(功率)变化量大于输入电压、电流或能量(功率)的变化量。有能量控制作用的器件叫有源器件,如三极管、场效应管、集成运放等。
晶体管起放大作用的外部条件:
例:基本的晶体管共射放大电路如图所示。
l1
l2
l3
T
①
②
③
图1.30
例1 在某放大电路中,晶体管三个电极的电流如下图1所示。已量出I1= —1.2mA,I2= —0.03mA,I3=1.23mA。由此可知:
1、电极①是 极,电极 ②是 极,电极③是 极。
2、此晶体管的电流放大系数约为 。
3、此晶体管的类型是 型(PNP或NPN)。
例2 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如下图所示:
(1)判断它们各是NPN管还是PNP管,在图中标出e,b,c极;
(2)估算(b)图晶体管的 和 值。
埃伯尔斯—莫尔模型 ☆ ☆
晶体三极管模型
是三极管的通用模型,适用于各种工作模式(4个)。主要用在CAD、CAA中,不适用于手工计算。
数学模型(指数模型) 与D?
1、放大模式。
三极管的正向受控作用,服从指数函数关系式:
晶体三极管模型
IS指发射结反向饱和电流IEBS转化到集电极上的电流值,它不同于二极管的反向饱和电流IS(P16)。
式中:
(2-2-8)
(2-2-7)
与P16(2-1-6)不同
2、饱和模式。
3、截止模式。
7
需两个动画
由
有
式中:
(2-2-8)
(2-2-9)
(2-1-12)
(2-1-7)
(2-2-7)
推导(2-2-8):
8
需两个动画
一、大信号电路模型(直流,简化)
E
C
B
E
T
IC
IB
共发射极
(PN结I-V指数特性)
电路模型
VBE
+
-
E
C
B
E
IC
IB
IB
①
②
①
②
( 受控电流源)
晶体三极管的共射等效电路模型
1、放大模式
(2-2-9)
(2-1-13)
见前页
等效模型
VBE
+
-
E
C
B
E
IC
IB
IB
大信号电路模型
VBE(on)
E
C
B
E
IC
IB
IB
+
-
1、放大模式——EB结正偏;CB结反偏。
+
-
VBE(on)
二极管简化模型
2、工程上,RD较小=0,P62
硅管VBE(on)= 0.7V
锗管VBE(on)= 0.25V
3、|VBE(on) |为发射结导通电压
本书NPN、硅。
其中:
P17
RD=0
三极管参数的温度特性。工程分析时。
温度每升高1C,∆ / 增大(0.5 1)%,
温度每升高1 C ,∣VBE(on) ∣减小(2 2.5)mV,
温度每升高10 C ,ICBO 增大一倍,
即:
NPN
硅管:12
锗管:8
即:
即:
例2-2-1:P62 (自习)
负温度系数
D:P19
温度对晶体管特性及参数的影响
一、温度对输入特性的影响
T
正向特性曲线左移
温度每升高10℃,|uBE|大约下降2~2.5mV
$