内容正文:
晶体三极管的工作原理
晶体三极管的工作原理
2.1.1 内部载流子传输过程: 看P12
P
N
N
+
- +
- +
V1
V2
R2
R1
IEn
IEp
IBB
ICn1
ICBO
IE
IE= IEn+IEp
IC
IC=ICn1+ICBO
IB
IB= IEp+IBB -ICBO = IEp+(IEn-ICn1) -ICBO =IE -IC
(2-1-5)
放大模式下
(2-1-4)
三极管三种工作模式: P53 外部工作条件
发射结正偏,集电结反偏。主要!
放大模式。
发射结正偏,集电结正偏。
饱和模式。
发射结反偏,集电结反偏。
截止模式。
三极管2个结,不同的偏置,构成不同的工作模式,体现不同的特性。
反向工作模式:发射结反偏,集电结正偏。只一个VCC?
当放大模式时,具有正向受控作用(IC、IE受VBE)。 要满足内部结构特点、放大模式的外部工作条件,三极管才有较好的放大作用。
NPN型管与PNP型管工作原理相似,但由于它们形成电流的载流子性质相反,结果:各极的电流方向相反、加在各极上的电压极性也相反。
上:PNP与NPN。
V1
N
P
P
+
P
N
N
+
V2
V2
V1
+ -
+ -
- +
- +
IE
IC
IB
IE
IC
IB
(2-1-5)
2.1.1 内部载流子传输过程: 看P12
发射结正偏:保证发射区向基区发射(注入)多子。
发射区掺杂浓度>>基区:减少基区向发射区发射的多子,提高发射效率。(多子扩散为主)
基区的作用:将发射到基区的(多子→)少子,自发射结 传输到集电结边界。自由电子在基区有扩散与复合。
基区很薄:可减少多子传输过程中在基区的复合机会,保证绝大部分扩散的载流子传输到集电结边界。
集电结反偏、且集电结面积大:保证到集电结边界的全部载流子被收集到集电区(少子漂移为主),形成正向受控的集电极电流。
三极管特性——具有正向受控作用
输出的集电极电流IC ,主要受发射结电压VBE>0(正偏)的控制,而与集电结电压VCB>0(反偏)近似无关。
ICBO =ICn2+ICP
(2-1-3) 与P16 IS
IE=IB+IC
(2-1-5)
(2-1-6)
三极管工艺内部结构特点(内部条件):P56
1)发射区高掺杂。几何尺寸小;
2)基区很薄。掺杂浓度很低,
3)集电结面积大。集电区掺杂浓度低,
几何尺寸大;
判断:输入信号+作用在那个电极上,输出信号+从那个电极取出,第三个电极即为组态形式。
2.1.2 电流传输方程:NPN
三极管的三种连接方式——三种组态
B
C
E
B
T
IC
IE
E
C
B
E
T
IC
IB
C
E
B
C
T
IE
IB
(共发射极CE)
(共基极CB)
(共集电极CC)
放大电路组态:对交流信号。
IB
IE
IC
(2-1-5)
共射(Common Emitter简写为CE)
共基(Common Base简写为CB)
共集(Common Col1ector简写为CC)
共基极直流电流传输方程
B
C
E
B
T
IC
IE
直流电流传输系数:
直流电流传输方程:
共发射极直流电流传输方程
E
C
B
E
T
IC
IB
直流电流传输方程:
其中:
(2-1-7)
(2-1-7)
(2-1-5)
(2-1-10)
(2-1-11)
(2-1-12)
的物理含义:
表示,受发射结电压控制的复合电流IBB ,对集电极正向受控电流ICn的控制能力。
若忽略ICBO,则:
E
C
B
E
T
IC
IB
可见, 为共发射极电流放大系数(倍数)。
(2-1-6)、(2-1-4)
(2-1-10)、(2-1-2)
只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关,与外加电压无关。
>> 1
(2-1-16)
(2-1-15)
11
需两个动画
ICEO的物理含义:
ICEO指基极开路时,集电极直通到发射极的电流。穿透。
∵ IB=0, 在(2-1-4)中,
IEP
ICBO
ICn1
IEn
+
_
VCE
N
P
N+
C
B
E
ICEO
IB=0
∴IEp+(IEn-ICn1) –ICBO =0
因此:
即:共发
(2-1-12)中,IB=0,IC= ICEO
(2-1-11)
(2-1-16)
12
需两个动画
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