2022-2023学年高二物理竞赛课件:晶体三极管的工作原理

2023-04-27
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晶体三极管的工作原理 晶体三极管的工作原理 2.1.1 内部载流子传输过程: 看P12 P N N + - + - + V1 V2 R2 R1 IEn IEp IBB ICn1 ICBO IE IE= IEn+IEp IC IC=ICn1+ICBO IB IB= IEp+IBB -ICBO = IEp+(IEn-ICn1) -ICBO =IE -IC (2-1-5) 放大模式下 (2-1-4) 三极管三种工作模式: P53 外部工作条件 发射结正偏,集电结反偏。主要! 放大模式。 发射结正偏,集电结正偏。 饱和模式。 发射结反偏,集电结反偏。 截止模式。 三极管2个结,不同的偏置,构成不同的工作模式,体现不同的特性。 反向工作模式:发射结反偏,集电结正偏。只一个VCC? 当放大模式时,具有正向受控作用(IC、IE受VBE)。 要满足内部结构特点、放大模式的外部工作条件,三极管才有较好的放大作用。 NPN型管与PNP型管工作原理相似,但由于它们形成电流的载流子性质相反,结果:各极的电流方向相反、加在各极上的电压极性也相反。 上:PNP与NPN。 V1 N P P + P N N + V2 V2 V1 + - + - - + - + IE IC IB IE IC IB (2-1-5) 2.1.1 内部载流子传输过程: 看P12 发射结正偏:保证发射区向基区发射(注入)多子。 发射区掺杂浓度>>基区:减少基区向发射区发射的多子,提高发射效率。(多子扩散为主) 基区的作用:将发射到基区的(多子→)少子,自发射结 传输到集电结边界。自由电子在基区有扩散与复合。 基区很薄:可减少多子传输过程中在基区的复合机会,保证绝大部分扩散的载流子传输到集电结边界。 集电结反偏、且集电结面积大:保证到集电结边界的全部载流子被收集到集电区(少子漂移为主),形成正向受控的集电极电流。 三极管特性——具有正向受控作用 输出的集电极电流IC ,主要受发射结电压VBE>0(正偏)的控制,而与集电结电压VCB>0(反偏)近似无关。 ICBO =ICn2+ICP (2-1-3) 与P16 IS IE=IB+IC (2-1-5) (2-1-6) 三极管工艺内部结构特点(内部条件):P56 1)发射区高掺杂。几何尺寸小; 2)基区很薄。掺杂浓度很低, 3)集电结面积大。集电区掺杂浓度低, 几何尺寸大; 判断:输入信号+作用在那个电极上,输出信号+从那个电极取出,第三个电极即为组态形式。 2.1.2 电流传输方程:NPN 三极管的三种连接方式——三种组态 B C E B T IC IE E C B E T IC IB C E B C T IE IB (共发射极CE) (共基极CB) (共集电极CC) 放大电路组态:对交流信号。 IB IE IC (2-1-5) 共射(Common Emitter简写为CE) 共基(Common Base简写为CB) 共集(Common Col1ector简写为CC) 共基极直流电流传输方程 B C E B T IC IE 直流电流传输系数: 直流电流传输方程: 共发射极直流电流传输方程 E C B E T IC IB 直流电流传输方程: 其中: (2-1-7) (2-1-7) (2-1-5) (2-1-10) (2-1-11) (2-1-12) 的物理含义:  表示,受发射结电压控制的复合电流IBB ,对集电极正向受控电流ICn的控制能力。  若忽略ICBO,则: E C B E T IC IB  可见, 为共发射极电流放大系数(倍数)。 (2-1-6)、(2-1-4) (2-1-10)、(2-1-2) 只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关,与外加电压无关。 >> 1 (2-1-16) (2-1-15) 11 需两个动画 ICEO的物理含义: ICEO指基极开路时,集电极直通到发射极的电流。穿透。 ∵ IB=0, 在(2-1-4)中, IEP ICBO ICn1 IEn + _ VCE N P N+ C B E ICEO IB=0 ∴IEp+(IEn-ICn1) –ICBO =0 因此: 即:共发 (2-1-12)中,IB=0,IC= ICEO (2-1-11) (2-1-16) 12 需两个动画 $

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