2022-2023学年高二物理竞赛课件：9.3 金半接触和异质结

9.3异质结 三角形势阱 z x y 低掺杂 散射小 9.3异质结 9.3异质结 IV特性 类似整流接触 Ew为有效势垒高度 小结 金半接触——整流接触；势垒高度的计算； 外加电压存在时，肖特基势垒的变化； 肖特基势垒二极管的理想I-V关系； 肖特基二极管与pn结二极管的区别； 欧姆接触； 异质结； 1、掌握复习题1-8； 2、会画热平衡状态下，下列金半接触的能带图： 金属与n型半导体：Φm<Φs; Φm>Φs; 金属与p型半导体：Φm<Φs; Φm>Φs; 1.5 小结 3.杂质半导体的特点是电导率高。 杂质半导体有两种类型：N型半导体的多子是自由电子，少子是空穴；P型半导体的多子是空穴，少子是自由电子。 4.多子的浓度与掺杂浓度有关，少子的浓度与温度等激发因素有关。 5.PN结具有单向导电性，它是构成各种半导体器件的基础。 1.5 小结 二、二极管的基本特性 1.二极管的特点是：单向导电性。 2.二极管的伏安特性是非线性关系。 3.二极管的参数主要包括：性能参数和极限参数。极限参数主要有：最高工作频率、最大允许反向工作电压、最大允许电流和额定耗散功率等。 $