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第2讲
带电粒子在复合场中的运动
1.如图所示,竖直平面内,两竖直线N、PQ间(含边界)存在竖直向上的匀强电场和
垂直于竖直平面向外的匀强磁场,N、PQ间距为d,电磁场上下区域足够大。一个质量为
m、电量为g的带正电小球从左侧进入电磁场,初速度0与MN夹角0=60°,随后小球做匀
速圆周运动,恰能到达右侧边界PQ并从左侧边界W穿出。不计空气阻力,重力加速度为
8。求:
Q
(1)电场强度大小E:
(②)磁场磁感应强度大小B:
(③)小球在电磁场区域运动的时间t。
【答案】(1)mgq(2)mv2gd(3)4rd3v
【解析】
()由小球在电磁场区域做匀速圆周运动得
gE=mg
解得:E=mgq
(2)设小球做匀速圆周运动的半径为r,有q0B=mv2r
解得:B=mvqt
由几何关系可得r=2d
则磁场磁感应强度大小B=mv2qd
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(3)小球做匀速圆周运动的周期T=2v
小球在电磁场区城运动的时间t=13T
解得:t=4nd3v。
2,带电粒子流的磁聚焦和磁控束是薄膜材料制备的关键技术之一、带电粒子流(每个粒
子的质量为m、电荷量为十)以初速度?垂直进入磁场,不计重力及带电粒子之间的相互作
用。对处在xOy平面内的粒子,求解以下问题。
图()
图b)
(1)如图(),宽度为2n的带电粒子流沿x轴正方向射入圆心为A
rc)(a\vs4al\col(0,rl)、半径为n的圆形匀强磁场中,若带电粒子流经过磁场后都
汇聚到坐标原点O,求该磁场磁感应强度B的大小:
(2)如图(a),虚线框为边长等于2n的正方形,其几何中心位于C
rc\)(a\vs4 al\col(O,一r2)。在虚线框内设计一个区域面积最小的匀强磁场,使汇聚到
O点的带电粒子流经过该区域后宽度变为2,并沿x轴正方向射出。求该磁场磁感应强度
B2的大小和方向,以及该磁场区域的面积(无需写出面积最小的证明过程):
(3)如图b),虚线框】和Ⅱ均为边长等于方的正方形,虚线框Ⅲ和V均为边长等于的
正方形。在】、Ⅱ、Ⅲ和Ⅳ中分别设计一个区域面积最小的匀强磁场,使宽度为2为的带电
粒子流沿x轴正方向射入I和Ⅱ后汇聚到坐标原点O,再经过Ⅲ和V后宽度变为24,并沿
x轴正方向射出,从而实现带电粒子流的同轴控束。求1和山中磁场磁感应强度的大小,以
及Ⅱ和Ⅳ中匀强磁场区域的面积(无需写出面积最小的证明过程)。
【答案】(1)mvgr1(2mvqr2,垂直与纸面向里,S=元22(3)B1=mvqr3,Bm=mvqr4,
S1=12x-1r23,Sw=12π-124
【解析】(①)粒子垂直x进入圆形磁场,在坐标原点O汇聚,满足磁聚焦的条件,即
粒子在磁场中运动的半径等于國形磁场的半径,粒子在磁场中运动,洛伦兹力提供向心力
goB1=mv2r1
解得B,=mvqrl
(②)粒子从O点进入下方虚线区域,若要从聚焦的O点飞入然后平行x轴飞出,为磁发
散的过程,即粒子在下方圆形磁场运动的轨迹半径等于磁场半径,粒子轨迹最大的边界如图
所示,图中圆形磁场即为最小的匀强磁场区域
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磁场半径为n,根据q0B=mv2r可知磁感应强度为B2=mvqr2
根据左手定则可知磁场的方向为垂直纸面向里,图形磁场的面积为S2=π22
(③)粒子在碱场中运动,3和4为粒子运动的轨迹圆,1和2为粒子运动的磁场的圆周
根据gwB=v2r可知I和川中的磁感应强度为B,=mvqr3,Bm=mvqr4
图中箭头部分的实线为粒子运动的轨迹,可知磁场的最小面积为叶子形状,取〡区域如
图
图中阴影部分面积的一半为四分之一圆周4OB与三角形SAOB之差,所以阴彩部分的
面积为
S1=2(S4o8-S40B)=2×14元23-1223=12x-123
类似地可知V区域的阴影部分面积为Sw=2×1424一1224=12元一124
根据对称性可知川中的匀强磁场面积为Sm=12一123
3.如图甲所示,在平行边界N、PQ之闻,存在宽度为1、方向平行纸面且与边界垂
直的变化电场,其电场随时间变化的关系如图乙所示,MN、PQ两侧足够大区域有方向垂
直纸面向外、大小相同的匀强磁场。一重力不计的带电粒子,从=0时自边界PQ上某点
由静止第一次经电场加速后,以速度1垂直边界W第一次射入磁场中做匀速圆周运动,
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接着第二次进入电场中做匀