内容正文:
高考小题:选择题
原子结构与性质
X:C项,根据同一周期从左到右元素的第一电
离能呈增大的趋势,第A族与第ⅢA族,第VA族
考题1(2021·辽宁选择考)某多孔储
氢材料前驱体结构如图所示,M、W、X、Y、Z五
与第IA族反常,可知第一电离能:BC<ON,
种元素的原子序数依次增大,基态Z原子的电
CH
子填充了3个能级,其中有2个未成对电子。
即WX<ZY:D项,阳离子
HNH
和
下列说法正确的是(
)。
CH
XM
M:X-Z
Z-XM
H C-O
O一CH
M
-M
阴离子
中,N、B原
XM
MX-Z
Z-XM
HC-O
O-CH
A.氢化物的沸点:XCY
子均形成4个共价键,其中都包含1个配位键
B.原子半径:MX<Y<Z
D
C.第一电离能:W<X<Y<Z
学科素养研析
D.阴、阳离子中均有配位键
考查的
考查
知识要点
命题意图
先推断元素,再判断性质。基态
核心素养
级别
Z原子的电子填充了3个能级(1s、2s、2p)、有2个
选取陌生的新
材料,以原子结
未成对电子(2p或2p),且Z原子形成2个
构信息和成健
键,可推知Z为氧元素。M、W、X、Y的原子序
特征为条件推
原子结构与性
断元素,通过原
数依次增大且均小于8,M原子形成1个键,则
质(核外电子排宏观辩识与:
子半径,第一电水平3
布、原子半径、微观深析
M为氢元素,由一XM知X为碳元素,则形成
第一电离能等)
离能的比较和
配位键的判断,
4个键的W、Y分别为硼、氨元素。A项,X、Y
考查对原子结
的氢化物分别为CH和NH,由于NH存在
构与性质的认
识
分子间氢键,故氢化物的沸点:CH,<NH:B
项,同周期主族元素从左到右原子半径依次减
分子结构与性质
小,所以原子半径:H<ON<C,即M<ZY
考题2(2021·海南卷)SF6可用作高
151
压发电系统的绝缘气体,分子呈正八面体结
构,如图所示。下列有关SF,的说法,正确的
是(
oK
.Sb
A.是非极性分子
B.键角∠FSF都等于90
图b
C.S与F之间共用电子对偏向S
A.该晶胞的体积为a3×10cm
D.S原子满足8电子稳定结构
B.K和Sb原子数之比为3:1
思园分析分子的结构,判断分子的性
C.与Sb最邻近的K原子数为4
质。SF6分子呈正八面体结构,S原子位于正
八面体的中心,分子结构对称,正电中心和负
D.K和Sb之间的最短距离为20m
电中心重合,是非极性分子:SF6分子中,
该晶胞的边长为a×10-1ocm,
∠FSF有90°和180°两种:S-F键是极性键,
故晶胞的体积为(a×10-0cm)3=a×10-)cm,
共用电子对偏向F原子:SF。中S原子与6个
A项错误:由图a、b可知,该晶胞中K的个数
F原子成键,S原子不满足8电子稳定结构。
为12X+9=12,Sb的个数为8×日十6×司
A
=4,故K和Sb原子数之比为3:1,B项正确:
学科素养研析
以面心处Sb为研究对象,与Sb最邻近的K原
考查的
考查
知识要点
命题意图
核心素养
级别
子是与其相距。m,位于8个小立方体体心
以正入面体结
的K原子,个数为8,C、D两项错误。
分子结构与性
构的分子为素
质(判断分子的
材,通过分子极
图B
宏观辩识与
空间结构,分子
性、分子的空间水平2
观探析
学科素养研析
的极性和键的
结构的判断,考
极性等)
查对分子结构
考查的
考查
知识要,点
命题意图
与性质的认识
核心素养
级别
以立方品系品胞
晶体结构与性质
为素材,设置原
品体结构与性
考题3(2021·湖北选择考)某立方晶
子数目之比、原
质(配位数、粒证据推理与
子的配位数,原水平3
系的锑钾(SbK)合金可作为钾离子电池的电
子间的距离、粒模型认知
子之间的距离等
子数目等)
极材料,图a为该合金的晶胞结构图,图b表示
问题对晶体结构
进行考查
该晶胞的一部分。下列说法正确的是(
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高考大题:综合题
物质结构与性质综合题
①已知化合物中Ge和O的原子个数比为
1:4,图中Z表示
(填元素符号)原
考题4(2021·湖南选择考)硅、锗
子,该化合物的化学式为
(G)及其化合物广泛应用于光电材料领域。
②已知该晶胞的晶胞参数分别为anm、
回答下列问题:
bnm、cnm、a=B=Y=90°,则该晶体的密度
(1)基态硅原子最外层的电子排布图为
D-
g·cm(设阿伏加德罗常数的值
晶体硅和碳化硅熔点较高的是
为N,用含a、b、c、N的代数式表示)。
(填化学式)。
回(1)基态硅原子的最外层电子排
(2)硅和卤素单质反应可以得到SX。
布为3s3p,转换成电子排布图(轨道表示式)即
SX的熔、沸点如表所示。
可。晶体硅、碳化硅均属于共价晶体,原子半
SiF
SiCh
SiBra
Sil
径