内容正文:
p-n结的载流子分布
V(x)
p-n结的载流子分布
n(x)=N.exp[-
E()=E]
qVp
koT
Ew
Eo
=N exp[-
E)-E.+E。-E
E
=no exp[-
E()-E
n(x)=no exp[-
qV(x)
koT
考虑p区边界处,=Xp,电势为零
n(-x)=no exp[-
n(x)=no exp[
'(
k T
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p-n结的载流子分布
p)=N.expf-E二Ey
考虑n区边界处,=x,
P)pep
受
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6.1.5p-n结的载流子分布
nao个
若位置x满足E.(c)=Em+0.leI
0.1
n(x)=noexp
通常(c利p9)很小,
0.026
50
远小于Hw和,可忽
0.6
略,故称该区域为
p(x)=Ppo exp
≈100N
0026
区。
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重灰邮电大学微电子技学都
p-n结的载流子分布
nao个
P(x)
p(x)=p.expf()
)()]
k T
qnun p up
势皇区的哉流子浓度指
数衰减,则其中的电身
率很低,电阳率很高。
当存在外间电压时,电压主要降落在这个势鱼区,而扩散
区和中性区几乎没有。
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pn结电场和电势
。泊松方程
何为泊松方程?其来历?
反映一定区域电势、电场、电荷之关系。
由麦克斯韦方程的微分形式:
vp
dv?
d
E,Eo
E-
d
泊松方图
6
d
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dv2
P(x)
E,Eo
●a.突变结p-n
N
电荷分布P(v)=W。-N+p-n
dv
qNA
px)=-gN4,-xp≤x≤0
dx2
Np
E,Eo
d'y
px)=qNn0≤r≤x
gNp
dr2
8,8u
di(x)
E(x)=一
d
=d
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E)=
●电场分布
N
-xn≤r≤0
E()
qNAx+C
E.E
边界条件x=x,x=-x,E=0
-9%
Np
E9=-
9+
F
6
0≤x≤x
E9=
q(-
6
x=0
E
q
gNpY
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8
8今黄电子技学都
E=-
aM+)
E69=-
9K-9
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E.
9Vr gNov
8品
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讨论:
电场符号为“.”。
E(x)
(因为定义的坐标系是p→n,而内建电场的方向
却是N区+P区,所以方向相反。】
·电场线性变化。
·当.=-n或=式n时,Emin0。
·当.=0时,Em,存在极值。
(电位移矢量在0处连续)
•耗尽区主要在轻棒杂一创。
qNXp=qNDX
Np
正负电荷总量相等
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E6=-
6+)
E=-9c-
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6
。电势分布
()=-∫E(x
-rp≤x≤0
)=∫6+=946++0
E86
28,8
x=-x,=0
C=0
()
qN(x+x)
28,80
0≤x≤xn
=x广=
20=6-
(K-
26,80
10
重庆邮电大学领电子教学