1.2晶体二极管（同步练习）-高一《电子技术基础》同步精品课堂 （高教版）

第一章 晶体二极管及整流电路 1.2 晶体二极管 练真题 一、单项选择题 1.（2020年浙江省高职考）如图所示电路中，=2kΩ，=1kΩ，二极管的导通情况是（ ）。 A.、 都导通 B.、 都截止 C. 导通, 截止 D. 截止, 导通 2.（2021年浙江省高职考）如图所示，设二极管为理想器件，则电压为（ ）。 A.-1V B.-3V C.-5V D.-7V 3.（2022年浙江省五联考）如图所示的电路中，设二极管导通时的正向压降均为0.7V，则流过二极管 VD1、VD2的电流、分别为（ ）。 A.=0,=0 B.=0,=1.15mA C.=0,=1.85mA D.=2.65mA,=1.15mA 4.（2020年浙江省四联考）二极管两端的反向偏置电压增大时，在达到（ ）电压以前，通过的电流很小。 A.击穿 B.最大 C.死区 D.最小 5.（2023年浙江省一联考）电路如图所示，已知VD1和VD2均为理想二极管，则这两只二极管的导通情况是（ ）。 A.、 都截止 B.、 都导通 C. 导通, 截止 D. 截止, 导通 6.（2023年浙江省联合适应考）电路如图所示，VD为理想二极管，若输入的正弦交流电，则（ ）。 A.输出电压为 B.输出电压为3V C.最大输出电压为3V D.最小输出电压为3V 二、填空题 1.（2020年浙江省四联考）如题图所示的电路中，Uo= V。(设二极管为硅管) 2.（2022年浙江省三联考）如图所示，已知发光二极管的导通电压为1.5V，当开关 S闭合时，流过发光二极管的电流为10mA,则电阻R 的阻值为 Ω。 3.（2023年浙江省一联考）电路如图所示，若二极管VD1、VD2、VD3、VD4均为硅二极管，则= 。 4.（2019年浙江省高职考）如图所示为某二极管的正向特性曲线，它的死区电压为 V。 练基础 一、单项选择题 1.如图所示为某二极管的伏安特性曲线，下列说法正确的是（　　）。 A.该二极管是锗管 B.A处的动态电阻比B处大 C.D点处于截止区 D.二极管导通压降可达数十伏 2.半导体整流电路中使用的整流二极管应选用（　　）。 A.变容二极管 B.稳压二极管 C.点接触型二极管 D.面接触型二极管 3.如图所示为某二极管的伏安特性曲线，下列说法正确的是（　　）。 A.该二极管是锗管 B.A处的动态电阻比B处大 C.D点处于截止区 D.二极管导通压降可达数十伏 4.当硅晶体二极管加上0.3 V的正向电压，二极管相当于（　　）。 A.短路 B.断路 C.小电阻 D.无法确定 5.用指针式万用表不同欧姆挡测量二极管正向电阻时，测得的阻值不相同，其原因是（　　）。 A.二极管质量差 B.万用表不同欧姆挡有不同的内阻 C.二极管有非线性的伏安特性 D.用指针式万用表测量的结果不准确 6.根据晶体二极管的伏安特性的正向区，晶体二极管导通时相当于（　　）。 A.大电阻 B.小电阻 C.断开的开关 D.接通的开关 7.当用万用表不同欧姆挡去测量二极管正向电阻时，获得的结果差异较大，这是因为（　　）。 A.该管已坏 B.万用表各电阻挡有差异 C.二极管的电阻可变 D.二极管的伏安特性是非线性 8.在下面的各电路中,小指示灯会亮的是（　　）。 9.如图所示硅二极管的伏安特性曲线由（　　）组成。 A.a和c B.a和d C.b和c D.b和d 10.下列说法正确的是（　　）。 A.随着温度的升高，二极管的门槛电压也随之增大 B.随着温度的升高，二极管的正向压降也随之增大 C.随着温度的升高，二极管的反向饱和电流也随之增大 D.随着温度的升高，二极管的导通电压也随之升高 二、填空题 1.普通二极管的两个极限参数是最大整流电流和 。 2.在如图所示二极管的伏安特性曲线中，A是 半导体材料。 3.硅二极管的正极电位是－11 V，负极电位是－10.3 V，则该晶体二极管处于 状态。 4.二极管硅管的门槛电压约 V；锗管导通时正向压降约 V。 5.稳压二极管工作在击穿区，反向电流的变化很大，但管子两端电压变化很小，这就是稳压管的 特性。 6.如图所示的电路中，VD为硅二极管，该管的状态为 ；A点电位为 ，B点电位为 。 7.如图所示的电路中，设二极管导通的正向压降＝0.7 V，则流过二极管的电流为 。 8.二极管最主要的特性是 。二极管的伏安特性曲线是描述 关系的曲线。 9.温度上升时，二极管的反向饱和电流 ，而反向击穿电压 。 10.如图所示，二极管为