2023届高三化学高考备考物质结构一晶胞有关计算考点训练

2023届高三化学高考备考物质结构一晶胞有关计算考点训练 一、单选题 1．某晶体的晶胞如图所示，这种晶体中A、B、C三种粒子数目之比是 A．3∶9∶4 B．1∶4∶2 C．2∶9∶4 D．3∶8∶4 2．具有良好半导体性能。晶体与晶体的结构相似，如图给出了晶胞中的和位于晶胞体心的(中的键位于晶胞体对角线上，晶胞中的其他已省略)。下列有关该晶体的说法错误的是 A．一个晶胞中的数目为2 B．的配位数为6 C．该晶体中存在非极性键 D．晶胞中其他均位于棱心 3．有关晶体的结构如下图所示，下列说法错误的是 A．的晶胞结构如图所示，镍原子的配位数为12 B．在晶体中，每个晶胞平均占有4个 C．在金刚石晶体中，碳原子与碳碳键个数之比为 D．由E原子和F原子构成的气态团簇分子的分子式为或 4．已知晶体属立方晶系，晶胞边长a，将Li+掺杂到该晶胞中，可得到一种高性能的p型太阳能电池材料，其结构单元如图所示。假定掺杂后的晶胞参数不发生变化，(注：Ni的配位数是指与该离子周围最近的异电荷的离子数)下列说法正确的是 A．该结构单元中O原子数为3 B．Ni和Mg间的最短距离是 a C．Ni的配位数为4 D．该物质的化学式为Li0.5Mg1.125Ni2.375O4 5．晶体的晶胞结构与NaCl晶体的相似(如图所示)，但晶体中哑铃形的存在，使晶胞沿一个方向拉长，下列有关说法正确的是 A．一个晶胞中含有4个，4个 B．1个周围距离最近的有6个 C．6.4g晶体中含阴离子0.2mol D．该晶体中只含离子键 6．下表是常见晶胞结构。下列说法不正确的是 金刚石 ZnS Cu 干冰 A．金刚石是共价晶体，熔点关系为：金刚石＞碳化硅＞晶体硅 B．ZnS晶胞中含有4个Zn2+ C．Cu是金属晶体，配位数为6 D．干冰是分子晶体，由于分子间作用力弱，所以干冰熔点低 7．单质硫和氢气在低温高压下可形成一种新型超导材料，其晶胞如图。下列说法正确的是 A．S位于元素周期表s区 B．该物质的化学式为H2S C．该晶体属于分子晶体 D．与S原子最近且等距离的H原子数为6 8．元素X的某价态离子Xn+中所有电子正好充满K、L、M三个电子层，它与N3-形成的晶体结构如图所示。下列说法错误的是 A．X元素的原子序数是19 B．该晶体中阳离子与阴离子个数比为3∶1 C．Xn+离子中n=1 D．晶体中与Xn+最近的等距离N3-有2个 9．磷化硼是一种耐磨涂料，可用作金属的表面保护层。磷化硼晶体晶胞(立方体)如图所示，已知原子坐标为 (0，0，0)，为(1，，)。下列说法中正确的是 A．磷原子的配位数为12 B．图中a原子的坐标是(，，) C．B和P原子分别采用、杂化 D．B和P元素分别位于周期表s区、p区 10．SiC具有优良的导热性能，是一种半导体，高温时能抗氧化。其晶胞结构如图所示，已知m的坐标参数为(，，)，晶胞参数为apm。下列说法错误的是 A．SiC晶体属于共价晶体 B．晶胞中n的坐标参数为(，，) C．每个Si周围最近的Si数目是6 D．C原子与Si原子之间的最短距离为apm 11．富勒烯()具有许多优异性能，如超导、强磁性、耐高压、抗化学腐蚀等。的晶胞结构如图所示，下列说法正确的是 A．晶胞中分子沿体对角线紧密排列 B．晶体中每个分子等距且最近的分子有12个 C．该晶体熔沸点高、硬度大 D．每个晶胞中含有14个分子 12．La和Ni的合金是目前使用最广泛的储氢材料。某La-Ni合金(晶胞为平行六面体)由图甲、图乙两个原子层交替紧密堆积而成，图丙是该合金的晶胞结构： 下列说法错误的是 A．该晶体可表示为 B．该晶体中1个La原子与18个Ni原子配位 C．该晶体的一个晶胞中Ni原子数为12 D．通过晶体X射线衍射实验可确定该晶组成的结构 二、填空题 13．根据下图推测，若CsCl晶体中两距离最近的Cs+间距离为a，则每个Cs+周围与其距离为a的Cs+数目为_______，每个Cs+周围距离相等且次近的Cs+数目为_______，距离为_______；每个Cs+周围距离相等且第三近的Cs+数目为_______，距离为_______；每个Cs+周围紧邻且等距的Cl-数目为_______。 14．回答下列问题 (1)元素铜的一种氯化物晶体的晶胞结构如图所示，该氯化物的化学式是___________。 (2)为半导体材料，在其立方晶胞内部有4个氧原子，其余氧原子位于面心和顶点，则该晶胞中有___________个铜原子。 (3)利用“卤化硼法”可合成含B和N两种元素的功能陶瓷，下图为其晶胞结构示意图，则每个晶胞中含有B原子的个数为___________，该功能陶瓷的化学式为___________。 (4)某晶体结构模型如图所示。该晶体的化学式是______