1.1半导体的主要特性（同步练习）-高一《电子技术基础》同步精品课堂 （高教版）

第一章 晶体二极管及整流电路 1.1半导体的主要特性 练真题 一、单项选择题 1.（浙江2018年联合体第三次考）当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量会（ ）。 A．同时增加 B．同时减少 C．增减难以确定 D．不变 2.（浙江面向人人考）在P型半导体中（ ）。 A．没有电子 B．电子是多数载流子，空穴是少数载流子 C．空穴的数量略多于电子 D．空穴是多数载流子，电子是少数载流子 3.（浙江面向人人考）在P型半导体中，下列说法正确的是（ ）。 A.只有自由电子一种载流子 B.多数载流子是自由电子少数载流子是空穴 C.只有空穴一种载流子 D.多数载流子是空穴少数载流子是自由电子 二、填空题 1.（浙江2017年联合体第二次考）在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 。 练基础 一、填空题 1.按照导电能力的大小，物质可分为 、 和 三大类，其中 导电能力居两者之间。 2.半导体是一种导电能力介于 与 之间的物体。 3.半导体导电具有 、 和 等导电特性。 4.半导体按其是否含有杂质，可分为 和 。 5.半导体中自由电子和空穴的数量相等，这种半导体称为 。 6.半导体中存在的两种携带电荷参与导电的“粒子”，称为 。 7.在本征半导体中加入微量的硼元素可产生 ，其多子为 ，即：自由电子的数目 空穴的数目；在本征半导体中加入微量的磷元素可产生 ，其多子为 ，即：空穴的数目 自由电子的数目。 8.在P型半导体中， 是多数载流子；在N型半导体中， 是多数载流子。 二、选择题 1.P型半导体中，多数载流子和少数载流子分别是（ ）。 A．空穴、电子 B．电子、空穴 C．正离子、负离子 D．负离子、正离子 2.在P型半导体中（ ）。 A.空穴是多数载流子，电子是少数载流子 B.没有电子 C.空穴的数量略多于电子 D.无法确定 3.N型半导体是在本征半导体中加入微量的（ ）元素构成的。 A.三价 B.四价 C.五价 D.六价 4.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ ）。 A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷  5.当晶体管的PN结导通后，则导电的是（ ）。 A.多数载流子 B.少数载流子 C.既有多数载流子，又有少数载流子 D.无法确定 6.在本征半导体中，自由电子浓度（ ）空穴浓度。 A.大于 B.小于 C.等于 D.不确定 7.半导体掺入杂质后，其导电能力会（ ）。 A.增强 B.减弱 C.不变 D.丧失 8.一般来说，本征半导体的导电能力 ，当掺入某些适当微量元素后其导电能力 。（ ） A.很强，更强 B.很弱，很高 C.很强，降低 D.很弱，更弱 练速度 一、单项选择题 1.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ ）。 A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶格缺陷 2.杂质半导体中少数载流子的浓度（ ）本征半导体中载流子浓度。 A.大于 B.等于 C. 小于 D.无法比较 3.对于半导体材料，若（ ），则导电能力减弱。 A.环境温度降低 B.掺杂金属元素 C.增大环境光照强度 D.以上都是 二、填空题 1.在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体，加入 元素可形成P型半导体。 2.温度升高，半导体的导电能力将 。 3.半导体中有两种载流子，它们是 和 。 4.本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现，称为 对。 精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $ 第一章 晶体二极管及整流电路 1.1半导体的主要特性 练真题 一、单项选择题 1.（浙江2018年联合体第三次考）当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量会（ A ）。 A．同时增加 B．同时减少 C．增减难以确定 D．不变 2.（浙江面向人人考）在P型半导体中（ D ）。 A．没有电子 B．电子是多数载流子，空穴是少数载流子 C．空穴的数量略多于电子 D．空穴是多数载流子，电子是少数载流子 3.（浙江面向人人考）在P型半导体中，下列说法正确的是（ D ）。 A.只有自由电子一种载流子 B.多数载流子是自由电子少数载流子是空穴 C.只有空穴一种载流子 D.多数载流子是空穴少数载流子是自由电子 二、填空题 1.（浙江2017年联合体第二次考）在