专题16 物质结构与性质综合题（测）-2023年高考化学二轮复习讲练测（新高考专用）

专题16　物质结构与性质综合题 （本卷共20小题，满分100分，考试用时75分钟） 可能用到的相对原子质量：H 1 Li 7 B 11 C 12 N 14 O 16 Na 23 Mg 24 Al 27 S 32 Cl 35.5 第I卷 （选择题共50分） 一、选择题：本题共10个小题，每小题3分，共30分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符 合题目要求的。 1．硒化锌是一种重要的半导体材料，其晶胞结构如图甲所示，乙图为该晶胞沿z轴方向在平面的投影，已知晶胞边长为，阿伏加德罗常数的值为，下列说法错误的是 A．位于元素周期表的区 B．基态原子核外有18种不同空间运动状态的电子 C．A点原子的坐标为，则B点原子的坐标为 D．该晶体密度为 2．已知某离子晶体的晶胞示意图如图所示，其摩尔质量为Mg·mol-1，阿伏加德罗常数的值为NA，晶体的密度为ρg·cm-3，下列说法中正确的是 A．晶体晶胞中阴、阳离子的个数都为1 B．晶体中阴、阳离子的配位数都是4 C．该晶胞可能是CsCl的晶胞 D．该晶体中两个距离最近的阴、阳离子的核间距为cm 3．为阿伏加德罗常数的值，下列说法正确的是 A． 98%的硫酸溶液中的数目为 B．浓硝酸热分解生成、共时，转移电子数为 C．溶液中，和的离子数目之和为 D．锑酸亚铁晶胞如图所示，其晶胞参数分别为、、，，则晶体的密度为 4．氮、氧分别是空气中和地壳中含量最多的两种元素。下列说法正确的是 A．电负性：N>O B．活泼性： C．第一电离能：N>O D．熔沸点： 5．第二代半导体材料的代表物质GaAs，其晶胞结构如图所示，阿伏加德罗常数的值为，晶胞边长为a pm。下列说法正确的是 A．As的配位数为8 B．CaAs晶体熔点很低 C．该晶体密度为 D．核电荷数为31的Ga的基态原子价电子排布图为 6．氮化硅(熔点1900℃)具有高强度、高韧性，常用作LED的基质材料，通过SiH4与NH3发生反应3SiH4+4NH3=Si3N4+12H2制得。下列说法错误的是 A．键角：SiH4>NH3 B．SiH4稳定性强于NH3，可证明非金属性N>Si C．Si3N4属于共价晶体 D．SiH4为由极性键构成的非极性分子 17．我国科学家成功创制了一种碳家族单晶新材料——单层聚合碳60，结构中每个C60与周围6个C60通过碳碳共价键相连。下列有关说法错误的是 A．金刚石和C60均为分子晶体 B．C60中的12C中子数为6 C．石墨与单层聚合C60不属于同位素 D．单层聚合C60中存在非极性键 8．下列说法不正确的是 A．石墨晶体中存在共价键与分子间作用力，属于混合型晶体 B．纯金属中加入其它元素会改变规则的层状排列，能增大金属硬度 C．液晶是液体和晶体聚集而成的一种特殊的混合物 D．NaCl和SiC晶体熔化时，克服粒子间作用力的类型不相同 9．下列关于CO2的说法不正确的是 A．CO2是由极性键形成的非极性分子 B．CO2分子中σ键与π键的数目比为1∶1 C．干冰中一个CO2分子周围有8个紧邻分子 D．CO2的大量排放可能引起温室效应 10．下列叙述中正确的是 A．NH3、CO、CO2都是极性分子 B．CH4、CCl4均为含极性键的非极性分子 C．CS2、H2O、C2H2都是直线型分子 D．HF、HCl、HBr、HI的稳定性依次增强 二、选择题：本题共5个小题，每小题4分，共20分。在每小题给出的四个选项中，只有一项或两项是符合题目要求的。若正确答案只包括一个选项，多选时，该小题得0分；若正确答案包括两个选项，只选一个且正确的得2分，选两个且都正确的得4分，但只要选错一个，该小题得0分。 11．短周期主族元素W、X、Y、Z的原子序数依次增大，W的最高正价与最低负价绝对值之差为0，W、X、Y形成的化合物甲的结构如图所示，Z原子M层上有2个未成对电子且此能级无空轨道。下列说法正确的是 A．电负性大小：X>W>Z B．简单氢化物的沸点：X>Z C．X、Y形成的化合物只含离子键 D．W和Z最高价氧化物中心原子的杂化方式相同 12．酞菁钴近年来被广泛应用于光电材料、非线性光学材料、催化剂等方面，其结构如图所示(Co参与形成的均为单键，部分化学键未画明)，下列说法正确的是 A．酞菁钴中三种非金属元素的电负性大小顺序为N>H>C B．酞菁钴中碳原子的杂化方式为sp2杂化和sp3杂化两种 C．Co(Ⅱ)与4个氮原子之间通过配位键结合 D．2号和4号N原子分别与周围3个原子形成的空间结构为平面三角形 13．1782年，瑞典一矿场主从辉钼矿中分离出金属钼，1953年确认钼为人体及动植物必须的微量元素。一种金属钼(Mo)的晶胞为体心立方堆积，如图1所示。下列说法错误的是 已知：1号原子的坐标为(0，0，0)。 A．该