内容正文:
设轨迹半径为 r,l = r + rcos 30°,解得 r = 2(2 - 3) l,根据 qvB = m v
2
r ,解得
v = (4 - 2 3) lqBm ,D 正确。
典例试做 6: 2mv2qB
解析:质点进入 xOy 平面的磁场区域内做匀速圆周运动,由
qvB = m v
2
R 得 R =
mv
qB
据题意,要求质点垂直 x 轴射出,它在磁场区
域内必经过
1
4 圆周,且此圆周应与入射速度和出
射速度所在的直线相切,如图所示。 过这两个切
点 M、N 作入射和出射方向的垂线,其交点 O′即
为质点做圆周运动的圆心。 因此该质点在磁场内
的轨迹就是以 O′为圆心,R = mvqB 为半径的一段圆弧MN
(
(图中虚线圆弧),
在过 M、N 两点的所有圆周中,以 MN 为直径的圆周最小(如图中实线所
示),因此所求圆形区域的最小半径为 rmin =
1
2 MN =
1
2 · 2R =
2mv
2qB 。
典例试做 7:C 质子的运动轨迹如图所示,由几何关系可得2nRcos 60° =
L,由洛伦兹力提供向心力,则有 Bqv = m v
2
R ,联立解得 v =
BqR
m =
BkL
n ,所以
ABD 正确,不符合题意;C 错误,符合题意。
名师讲坛·素养提升
典例试做 8:C 画出粒子从 A 点射入磁场到
从 C 点射出磁场的轨迹,并将该轨迹向下平移,
粒子做圆周运动的半径为 R = L,从 C 点射出的粒
子运动时间为 t1 =
T
4 ;由 P 点运动到 M 点所用
时间为 t2,圆心角为 θ,则 cos θ =
R
2
R ,则cos θ =
1
2 ,θ = 60°,故 t2 =
T
6 ,所以
t1
t2
=
T
4
T
6
= 32 ,C
正确。
典例试做 9:C 粒子在磁场中运动时,Bqv = mv
2
R ,粒
子运动轨迹半径 R = mvBq =
2
3 d;由左手定则可得,粒子沿
逆时针方向偏转,做匀速圆周运动;粒子沿 AN 方向进入磁
场时,到达 PQ 边界的最下端,距 A 点的竖直距离 L1 =
R2 - (d - R) 2 = 33 d;运动轨迹与 PQ 相切时,切点为到
达 PQ 边 界 的 最 上 端, 距 A 点 的 竖 直 距 离 L2 =
R2 - (d - R) 2 = 33 d,所以粒子在 PQ 边界射出的区域
长度为 L = L1 + L2 =
2 3
3 d,因为 R < d,所以粒子在 MN 边界射出区域的长
度为 L′ = 2R = 43 d,故两区域长度之比为 L∶ L′ =
2 3
3 d∶
4
3 d = 3∶ 2,故 C 正
确,A、B、D 错误。
典例试做 10:C 设电子在磁场中做匀速圆周运动
的半径为 r,根据洛伦兹力提供向心力有 Bev = mv
2
r ,可得
r = mvBe ,要求磁场的磁感应强度最小,即圆周运动的半径
最大,如图所示,圆周运动的半径最大时,轨迹圆与外圆
相切,根据两圆内切可知,边界圆圆心 O、轨迹圆圆心 A 与切点 D 在一条直
线上,根据几何关系可得(3a - r) 2 = r2 + a2,解得 r = 43 a,则磁感应强度的
最小值 Bmin =
3mv
4ae,故 C 正确,A、B、D 错误。
2 年高考·1 年模拟
1. B 根据题意作出粒子的轨迹如图所示
设圆形磁场区域的半径为 R,根据几何关系有第一次的半径 r1 = R,
第二次的半径 r2 = 3R,根据洛伦兹力提供向心力有 qvB =
mv2
r ,可得 v =
qrB
m 。 所以
v1
v2
=
r1
r2
= 33 ,故选 B。
2. D 本题结合 CT 扫描机考查带电粒子的加速、偏转问题。 电子束在 M、
N 之间需要加速,故 N 处的电势高于 M 处的电势,A 错误;若增大 M、N
之间的加速电压,由 qU = 12 mv
2 知会使得电子获得的速度变大;电子在
磁场中偏转,洛伦兹力提供向心力,有 Bvq = m v
2
R ,可得电子的偏转轨迹
半径R = mvqB ,则电子在磁场中运动轨迹的半径变大,电子出磁场时偏转
角减小,P 点向右移,B 错误;电子进入磁场中向下偏转,由左手定则可
知,偏转磁场的方向垂直于纸面向里,故 C 错误;根据 R = mvqB可知,偏转
磁场的磁感应强度越大,电子的运动轨迹半径越小,在偏转磁场中偏转
越明显,P 点向左移,故 D 正确。
3.
mv0
2ed
πd
3v0
解析:电子在磁场中由洛伦兹力提供向心力做
圆周运动,其运动轨迹如图所示。 由几何关系
可知,电子运动轨迹所对圆心角为 α = 30°,轨迹
半径为 r = dsin 30° = 2d,根据洛伦兹力提供向心
力可得